Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs (1999)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.59.3008
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 59, n. 4, p. 3008-3014, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs. Physical Review B, v. 59, n. 4, p. 3008-3014, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008. Acesso em: 04 ago. 2025. -
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs. Physical Review B, 59( 4), 3008-3014. doi:10.1103/physrevb.59.3008 -
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 4): 3008-3014.[citado 2025 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008 -
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 4): 3008-3014.[citado 2025 ago. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.59.3008 (Fonte: oaDOI API)
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