Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods (1988)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapore
- Date published: 1988
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores
-
ABNT
FERRAZ, Armando Corbani e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 05 fev. 2026. -
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. In Proceedings. Singapore: World Scientific. -
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2026 fev. 05 ] -
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2026 fev. 05 ] - Estrutura eletrônica de superfícies e super-redes de semicondutores
- Estrutura eletronica de super-redes
- Superficie de semicondutores
- Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
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- Passivização da superfície InP(001) através da adsorção e dissociação da molécula de H2S
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