Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices (1987)
- Authors:
- USP affiliated author: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- School: IF
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.189-90, n.1-3, p.913-8, 1987
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ABNT
SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science, v. 189-90, n. 1-3, p. 913-8, 1987Tradução . . Acesso em: 26 jun. 2022. -
APA
Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1987). Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science, 189-90( 1-3), 913-8. -
NLM
Srivastava GP, Ferraz AC. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science. 1987 ;189-90( 1-3): 913-8.[citado 2022 jun. 26 ] -
Vancouver
Srivastava GP, Ferraz AC. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science. 1987 ;189-90( 1-3): 913-8.[citado 2022 jun. 26 ] - Sulfur radicals as tethers for the adsorption of aromatic molecules on silicon surface
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