Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 0163-1829
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003
-
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 30 set. 2024. -
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips -
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips -
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 set. 30 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7
- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
- Estabilidade em super-redes iii-v
- Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'
- Descontinuidade das faixas de valencia das interfaces 'AI''AS': 'SI' : 'GA''AS'e'AI''AS' : 'GE' : 'GA''AS'
- Estrutura eletrônica das superfícies GaAs:Te e InAs:Te
- Estrutura eletrônica de superfícies e super-redes de semicondutores
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas