Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors (1998)
- Authors:
- Autor USP: HORNOS, JOSE EDUARDO MARTINHO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1103/physrevb.58.10383
- Subjects: FÍSICA; FÍSICA MATEMÁTICA; FÍSICA MODERNA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 58, n. 16, p. 10383-10388, 1998
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
DE GROOTE, J J et al. Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors. Physical Review B, v. 58, n. 16, p. 10383-10388, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10383. Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
De Groote, J. J., Santos, A. S., Masili, M., & Hornos, J. E. M. (1998). Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors. Physical Review B, 58( 16), 10383-10388. doi:10.1103/physrevb.58.10383 -
NLM
De Groote JJ, Santos AS, Masili M, Hornos JEM. Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10383-10388.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10383 -
Vancouver
De Groote JJ, Santos AS, Masili M, Hornos JEM. Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10383-10388.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10383 - Calculo das curvas de potencial l =1 para os atomos de 'HE' e 'H POT.-'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.58.10383 (Fonte: oaDOI API)
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