Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.59.4898
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 59, n. 7, p. 4898-4900, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CAPAZ, R. B. et al. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4898-4900, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898. Acesso em: 12 jan. 2026. -
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, 59( 7), 4898-4900. doi:10.1103/physrevb.59.4898 -
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2026 jan. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898 -
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2026 jan. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898 - Propriedades físicas de impurezas profundas em silício
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.59.4898 (Fonte: oaDOI API)
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