ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards (2004)
Sotomayor, N M; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M e GUSEV, Guennadii Michailovich e LEITE, J. R. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (2004). Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400028
NLM
Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028
Vancouver
Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028
Artigo de periodico
First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400008
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Artigo de periodico
Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400041
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Artigo de periodico
Phase separation and ordering in group-III nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L K et al. Phase separation and ordering in group-III nitride alloys. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400014. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation and ordering in group-III nitride alloys. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400014
NLM
Teles LK, Marques M, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation and ordering in group-III nitride alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400014
Vancouver
Teles LK, Marques M, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation and ordering in group-III nitride alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400014
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400021
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Artigo de periodico
Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas (2001)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Bakarov, A K; Toropov, A I; Maude, D K; Portal, J C
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BYKOV, A A et al. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 79-82, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Moshegov, N. T., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2001). Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, 298( 1-4), 79-82. doi:10.1016/s0921-4526(01)00264-2
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Artigo de periodico
Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells (2001)
Lourenco, S A; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Duarte, J L; Toguinho Filho, D O; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: European Physical Journal B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENCO, S A et al. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, v. 21, n. 1, p. 11-17, 2001Tradução . . Disponível em: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lourenco, S. A., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Toguinho Filho, D. O., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, 21( 1), 11-17. Recuperado de http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
NLM
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Vancouver
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Artigo de periodico
Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination (1999)
Santos, A. M. dos; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, A. M. dos et al. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 775-778, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, A. M. dos, Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1999). Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 775-778. doi:10.1590/s0103-97331999000400034
NLM
Santos AM dos, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 775-778.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034
Vancouver
Santos AM dos, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 775-778.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034
Artigo de periodico
Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field (1999)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Santos, M. T. dos; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Kvon, Z. D.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 727-729, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Choque, N. M. S., Santos, M. T. dos, Gusev, G. M., Leite, J. R., & Kvon, Z. D. (1999). Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 727-729. doi:10.1590/s0103-97331999000400022
NLM
Choque NMS, Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Kvon ZD. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 727-729.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022
Vancouver
Choque NMS, Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Kvon ZD. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 727-729.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022
Artigo de periodico
Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Artigo de periodico
Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field (1999)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toropov, A. I.; Nastaushev, Yu V.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 711-714, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., et al. (1999). Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 711-714. doi:10.1590/s0103-97331999000400018
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toropov AI, Nastaushev YV. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 711-714.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toropov AI, Nastaushev YV. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 711-714.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018
Artigo de periodico
Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces (1999)
Alves, H. W. Leite; Alves, J. L. A.; Nogueira, R. A.; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H. W. Leite et al. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 817-822, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (1999). Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 817-822. doi:10.1590/s0103-97331999000400044
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 817-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 817-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044
Trabalho de evento-resumo
Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
Lemos, Voila; Silveira, Edilson; Leite, J. R.; Tabata, Americo; Trentin, R.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEMOS, Voila et al. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (1999). Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, Alexandre ; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos ; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, Alexandre et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 04 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Normalized affiliation

Non normalized affiliation