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Artigo de periodico
Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces (2008)
Bonferroni, Benedetta; Ferretti, Andrea; Calzolari, Arrigo; Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Molinari, Elisa
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
BONFERRONI, Benedetta et al. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces. Nanotechnology, v. 19, n. 28, p. 285201/1-285201/5, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Bonferroni, B., Ferretti, A., Calzolari, A., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2008). Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces. Nanotechnology, 19( 28), 285201/1-285201/5. doi:10.1088/0957-4484/19/28/285201
NLM
Bonferroni B, Ferretti A, Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 28): 285201/1-285201/5.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201
Vancouver
Bonferroni B, Ferretti A, Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 28): 285201/1-285201/5.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201
Artigo de periodico
Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study (2008)
Cucinotta, Clotilde S; Ruini, Alice; Molinari, Elisa; Pignedoli, Carlo A; Catellani, Alessandra; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
CUCINOTTA, Clotilde S et al. Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study. Journal of Physical Chemistry C, v. 112, n. 27, p. 10167-10175, 2008Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Cucinotta, C. S., Ruini, A., Molinari, E., Pignedoli, C. A., Catellani, A., & Caldas, M. J. (2008). Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study. Journal of Physical Chemistry C, 112( 27), 10167-10175. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j
NLM
Cucinotta CS, Ruini A, Molinari E, Pignedoli CA, Catellani A, Caldas MJ. Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2008 ; 112( 27): 10167-10175.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j
Vancouver
Cucinotta CS, Ruini A, Molinari E, Pignedoli CA, Catellani A, Caldas MJ. Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2008 ; 112( 27): 10167-10175.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j
Artigo de periodico
A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface (2007)
Bergman, Anders; Nordström, Lars; Klautau, A. B.; Frota-Pessoa, S; Eriksson, Olle
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
BERGMAN, Anders et al. A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 19, n. 15, p. 156226/1-156226/8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/15/156226. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Bergman, A., Nordström, L., Klautau, A. B., Frota-Pessoa, S., & Eriksson, O. (2007). A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface. Journal of Physics-Condensed Matter, 19( 15), 156226/1-156226/8. doi:10.1088/0953-8984/19/15/156226
NLM
Bergman A, Nordström L, Klautau AB, Frota-Pessoa S, Eriksson O. A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2007 ; 19( 15): 156226/1-156226/8.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/15/156226
Vancouver
Bergman A, Nordström L, Klautau AB, Frota-Pessoa S, Eriksson O. A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2007 ; 19( 15): 156226/1-156226/8.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/15/156226
Artigo de periodico
Acetonitrile adsorption on Si(001) (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C de; Pinto, M M; Léon Pérez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R et al. Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C. de, Pinto, M. M., Léon Pérez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.235331
NLM
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400021
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Artigo de periodico
Magnetic properties of Co nanowires on Cu(001) surfaces (2004)
Klautau, A. B.; Frota-Pessoa, Sonia
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, NANOTECNOLOGIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
KLAUTAU, A. B. e FROTA-PESSOA, Sonia. Magnetic properties of Co nanowires on Cu(001) surfaces. Physical Review B, v. 70, p. 193306/1-193306/4, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193407. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Klautau, A. B., & Frota-Pessoa, S. (2004). Magnetic properties of Co nanowires on Cu(001) surfaces. Physical Review B, 70, 193306/1-193306/4. doi:10.1103/physrevb.70.193407
NLM
Klautau AB, Frota-Pessoa S. Magnetic properties of Co nanowires on Cu(001) surfaces [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193306/1-193306/4.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193407
Vancouver
Klautau AB, Frota-Pessoa S. Magnetic properties of Co nanowires on Cu(001) surfaces [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 193306/1-193306/4.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.193407
Artigo de periodico
Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) (2003)
Miotto, R; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Phisical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, v. 68, n. 11, p. 115436/1-1155436/6, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2003). Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, 68( 11), 115436/1-1155436/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces (2003)
Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, M. J. da; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
QUIVY, A. A. et al. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, M. J. da, & Silva, E. C. F. da. (2003). Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Vancouver
Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo da superfície Au(111) e da adsorção de 'Ch IND.3 S' em Au(111) através do método PAW (2003)
Huamantinco, Andrei Reyes; Petrilli, Helena Maria (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUAMANTINCO, Andrei Reyes. Estudo da superfície Au(111) e da adsorção de 'Ch IND.3 S' em Au(111) através do método PAW. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Huamantinco, A. R. (2003). Estudo da superfície Au(111) e da adsorção de 'Ch IND.3 S' em Au(111) através do método PAW (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Huamantinco AR. Estudo da superfície Au(111) e da adsorção de 'Ch IND.3 S' em Au(111) através do método PAW. 2003 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Vancouver
Huamantinco AR. Estudo da superfície Au(111) e da adsorção de 'Ch IND.3 S' em Au(111) através do método PAW. 2003 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Oxygen adsorption on CdTe(110) (2003)
Miotto, R ((*)); Kiss, F D; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KISS, F D e FERRAZ, A. C. Oxygen adsorption on CdTe(110). Surface Science, v. 525, n. 1-3, p. 24-32, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Kiss, F. D., & Ferraz, A. C. (2003). Oxygen adsorption on CdTe(110). Surface Science, 525( 1-3), 24-32. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
NLM
Kiss FD, Ferraz AC. Oxygen adsorption on CdTe(110) [Internet]. Surface Science. 2003 ; 525( 1-3): 24-32.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Vancouver
Kiss FD, Ferraz AC. Oxygen adsorption on CdTe(110) [Internet]. Surface Science. 2003 ; 525( 1-3): 24-32.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Artigo de periodico
Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well (2003)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, v. 67, n. 155313/1-155313/8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, 67( 155313/1-155313/8). doi:10.1103/physrevb.67.155313
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Artigo de periodico
Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, OXIDAÇÃO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, v. 90, n. 1, p. 016103/1-016103/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, 90( 1), 016103/1-016103/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Acetylene adsorption on the Si(001) surface (2002)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75401/1-75401/11, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2002). Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, 65( 7), 75401/1-75401/11. doi:10.1103/physrevb.65.075401
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Artigo de periodico
Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)
Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Artigo de periodico
Electronic scattering in doped superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz ; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz e SOUZA, P. L. e YAVICH, B. Electronic scattering in doped superlattices. Physical Review B, v. 64, n. 4, p. 5319/1-5319/6, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Henriques, A. B., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Electronic scattering in doped superlattices. Physical Review B, 64( 4), 5319/1-5319/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips
NLM
Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Electronic scattering in doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 4): 5319/1-5319/6.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips
Vancouver
Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Electronic scattering in doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 4): 5319/1-5319/6.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000004045319000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces (2001)
Martini, S.; Quivy, A. A.; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
Tese (Doutorado)
Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais (1995)
Peduto, Pascoal Roberto; Frota-Pessoa, Sonia (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEDUTO, Pascoal Roberto. Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais. 1995. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Peduto, P. R. (1995). Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Peduto PR. Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais. 1995 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Vancouver
Peduto PR. Rs-lmto-asa-2d: calculo de estrutura eletronica em sistemas bidimensionais. 1995 ;[citado 2025 nov. 07 ]

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