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Artigo de periodico
Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) (2010)
Kellermann, Guinther; Rodriguez, Eugenio; Jimenez, Ernesto; Cesar, Carlos Lenz; Barbosa, Luiz Carlos; Craievich, Aldo Felix
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES
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ABNT
KELLERMANN, Guinther et al. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111). Journal of Applied Crystallography, v. 43, p. 385-393, 2010Tradução . . Disponível em: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Kellermann, G., Rodriguez, E., Jimenez, E., Cesar, C. L., Barbosa, L. C., & Craievich, A. F. (2010). Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111). Journal of Applied Crystallography, 43, 385-393. Recuperado de http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
NLM
Kellermann G, Rodriguez E, Jimenez E, Cesar CL, Barbosa LC, Craievich AF. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2010 ; 43 385-393.[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
Vancouver
Kellermann G, Rodriguez E, Jimenez E, Cesar CL, Barbosa LC, Craievich AF. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2010 ; 43 385-393.[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers (2009)
Diaz, B; Abramof, E; Rappl, P H O; Granado, E; Chitta, Valmir Antonio; Henriques, André Bohomoletz; Oliveira Jr., N. F.
Source: International Journal of Modern Physics B. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
DIAZ, B et al. Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2009
APA
Diaz, B., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Granado, E., Chitta, V. A., Henriques, A. B., & Oliveira Jr., N. F. (2009). Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific.
NLM
Diaz B, Abramof E, Rappl PHO, Granado E, Chitta VA, Henriques AB, Oliveira Jr. NF. Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2979-2983.[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Diaz B, Abramof E, Rappl PHO, Granado E, Chitta VA, Henriques AB, Oliveira Jr. NF. Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2979-2983.[citado 2024 set. 12 ]
Artigo de periodico
Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Journal of Applied Physics,. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3074376. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376
NLM
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Vancouver
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Trabalho de evento-anais periodico
In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat (2007)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Marques, E B
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
MARTINI, S et al. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 12 set. 2024. , 2007
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Marques, E. B. (2007). In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Artigo de periodico
Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds (2004)
Sagredo, V; Pineda, F; Haar, Ewout Ter
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
SAGREDO, V e PINEDA, F e HAAR, Ewout Ter. Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds. Journal of Alloys and Compounds, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Sagredo, V., Pineda, F., & Haar, E. T. (2004). Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds. Journal of Alloys and Compounds. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf
NLM
Sagredo V, Pineda F, Haar ET. Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2004 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf
Vancouver
Sagredo V, Pineda F, Haar ET. Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2004 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf
Trabalho de evento-resumo
Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors (2003)
Chaker, J A; Briois, V; Dahmouche, K; Santilli, C V; Pulcinelli, S H; Judeinstein, P; Flank, A M; Craievich, Aldo Felix
Source: Abstracts. Conference titles: Annual Meeting on the International Commission on Glass. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAKER, J A et al. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. 2003, Anais.. São Paulo: ABIVIDRO, 2003. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Chaker, J. A., Briois, V., Dahmouche, K., Santilli, C. V., Pulcinelli, S. H., Judeinstein, P., et al. (2003). Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. In Abstracts. São Paulo: ABIVIDRO.
NLM
Chaker JA, Briois V, Dahmouche K, Santilli CV, Pulcinelli SH, Judeinstein P, Flank AM, Craievich AF. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Chaker JA, Briois V, Dahmouche K, Santilli CV, Pulcinelli SH, Judeinstein P, Flank AM, Craievich AF. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x (2003)
Ochoa, J C Mantilla; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Haar, Ewout Ter; Bindilatti, V.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OCHOA, J C Mantilla et al. Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Ochoa, J. C. M., Brito, G. E. de S., Haar, E. T., & Bindilatti, V. (2003). Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ochoa JCM, Brito GE de S, Haar ET, Bindilatti V. Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Ochoa JCM, Brito GE de S, Haar ET, Bindilatti V. Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 12 ]
Artigo de periodico
Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures (2002)
Leite, J. R.
Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, v. 33, n. 4, p. 323-329, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Leite, J. R. (2002). Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, 33( 4), 323-329. doi:10.1016/s0026-2692(01)00126-4
NLM
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Vancouver
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Trabalho de evento-resumo
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers (2001)
Silva, Marcionilio Teles de Oliveira; Fernandez, Jose Rafael Leon; Pusep, Yuri A.; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Frey, Thomas; As, Donat Joseph; Lischka, Klaus
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcionilio Teles de Oliveira et al. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Silva, M. T. de O., Fernandez, J. R. L., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva MT de O, Fernandez JRL, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Silva MT de O, Fernandez JRL, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy (2001)
Fernandez, Jose Rafael Leon; Silva, M T O; Pusep, Yuri A.; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Abramof, E; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, Jose Rafael Leon et al. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Silva, M. T. O., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Artigo de periodico
Strength tuning of multiple waves in crystals (2001)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H
Source: Acta Crystallographica Section A. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e AVANCI, L H. Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, v. 57, p. 192-196, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Morelhão, S. L., & Avanci, L. H. (2001). Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, 57, 192-196. doi:10.1107/s0108767300015774
NLM
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Trabalho de evento-resumo
Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells (2001)
Leite, J. R.; Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silveira, E; MENESES, Eliermes Arraes; Ribeiro, E; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Leite, J. R., Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Silveira, E., et al. (2001). Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento-resumo
Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain (2001)
Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Kharchenko, V; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K; Bechstedt, F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EMISSÃO DA LUZ, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., Kharchenko, V., et al. (2001). Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 12 ]
Artigo de periodico
MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties (2001)
As, D J; Frey, T; Barttls, M; Lischka, K; Goldhahn, R; Shokhovets, S; Tabata, A; Fernandez, J R L; Leite, J. R.
Source: Journal of Crstal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AS, D J et al. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, v. 230, n. 3-4, p. 421-425, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
As, D. J., Frey, T., Barttls, M., Lischka, K., Goldhahn, R., Shokhovets, S., et al. (2001). MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, 230( 3-4), 421-425. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
NLM
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 set. 12 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, v. 78, n. 6, p. 691-693, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1346627. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Henriques, A. B. (2001). Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, 78( 6), 691-693. doi:10.1063/1.1346627
NLM
Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
Vancouver
Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
Trabalho de evento
X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling (1992)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; SANTOS, P. V.; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Conference titles: Brazilian School on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992, Anais.. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1992. . Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., SANTOS, P. V., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (1992). X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. In . Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fantini MC de A, SANTOS PV, Pereyra I, Páez Carreño MN. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Fantini MC de A, SANTOS PV, Pereyra I, Páez Carreño MN. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992 ;[citado 2024 set. 12 ]

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