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  • Artigo de periodico

    Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)

    Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco Salazar, D G

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FERNANDEZ, J R L et al. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N., Santos, A. M., et al. (2003). Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.68.155204

    • NLM

      Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204

    • Vancouver

      Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204

  • Artigo de periodico

    InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' (2003)

    Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053

    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

  • Artigo de periodico

    Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides (2003)

    Ramos, L E; Furthmüller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RAMOS, L E et al. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides. Physical Review B, v. 68, n. 8, p. 085209/1-085209/12, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Ramos, L. E., Furthmüller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2003). Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides. Physical Review B, 68( 8), 085209/1-085209/12. doi:10.1103/physrevb.68.085209

    • NLM

      Ramos LE, Furthmüller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 8): 085209/1-085209/12.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209

    • Vancouver

      Ramos LE, Furthmüller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Group-IV and group-V substituional impurities in cubic group-III nitrides [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 8): 085209/1-085209/12.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.085209

  • Artigo de periodico

    Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

  • Trabalho de evento-resumo

    Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)

    Soares, J A N T; Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Brasil, M J S P; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco-Salazar, D G

    Source: Paper SC-MoM7. Conference titles: AVS 50th International Symposium. Unidade: IF

    Subjects: VÁCUO, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    How to cite
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    • ABNT

      SOARES, J A N T et al. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. 2003, Anais.. New York: AIP, 2003. . Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Soares, J. A. N. T., Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Brasil, M. J. S. P., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. In Paper SC-MoM7. New York: AIP.

    • NLM

      Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 nov. 18 ]

    • Vancouver

      Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 nov. 18 ]

  • Artigo de periodico

    Commensurability oscillations in the antidot lattice in a quasi-three-dimensional electron gas (2003)

    Sotomayor, N M; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A A; Litvin, L V; Moshegov, N T; Toropov, A I; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: TEORIA DO TRANSPORTE, COMPORTAMENTO CAÓTICO NOS SISTEMAS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOTOMAYOR, N M et al. Commensurability oscillations in the antidot lattice in a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 67, n. 11, p. 113308/1-113308/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113308. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Litvin, L. V., Moshegov, N. T., et al. (2003). Commensurability oscillations in the antidot lattice in a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 67( 11), 113308/1-113308/4. doi:10.1103/physrevb.67.113308

    • NLM

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Litvin LV, Moshegov NT, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Commensurability oscillations in the antidot lattice in a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 11): 113308/1-113308/4.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113308

    • Vancouver

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Litvin LV, Moshegov NT, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Commensurability oscillations in the antidot lattice in a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 11): 113308/1-113308/4.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113308

  • Artigo de periodico

    Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARQUES, M et al. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, n. 5, p. 890-892, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2003). Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, 83( 5), 890-892. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots (2003)

    Duarte, C A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Martini, S; Leite, J. R.; Meneses, E A; Lauretto, E

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, C A et al. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1568538. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Duarte, C. A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Martini, S., Leite, J. R., et al. (2003). Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 93( 10), 6279-6283. doi:10.1063/1.1568538

    • NLM

      Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538

    • Vancouver

      Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538

  • Artigo de periodico

    Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction (2003)

    Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Lamas, T E; Silva, E C F da; Leite, J. R.; Abramof, E

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINI, S et al. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1621738. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Martini, S., Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, Leite, J. R., & Abramof, E. (2003). Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. doi:10.1063/1.1621738

    • NLM

      Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738

    • Vancouver

      Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738

  • Artigo de periodico

    Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)

    Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • NLM

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well (2003)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, v. 67, n. 155313/1-155313/8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, 67( 155313/1-155313/8). doi:10.1103/physrevb.67.155313

    • NLM

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313

    • Vancouver

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313

  • Artigo de periodico

    Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient (2003)

    Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C de; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SALES, F V de et al. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 3, p. 1787-1794, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1586953. Acesso em: 18 nov. 2024.

    • APA

      Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C. de, Silva, M. J. da, et al. (2003). Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, 94( 3), 1787-1794. doi:10.1063/1.1586953

    • NLM

      Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953

    • Vancouver

      Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
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