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ABNT
TRONCHIN, Daisy Maria Rizatto et al. Desenvolvimento do curso de gerenciamento em enfermagem on-line: experiência exitosa entre Brasil e Portugal. Revista da Escola de Enfermagem da USP, v. 49, n. esp. 2, p. 162-167, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S0080-623420150000800023. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Tronchin, D. M. R., Peres, H. H. C., Lima, A. F. C., Alavarce, D. C., Prata, A. P., Santos, M. R., & Aroldi, J. B. da C. (2015). Desenvolvimento do curso de gerenciamento em enfermagem on-line: experiência exitosa entre Brasil e Portugal. Revista da Escola de Enfermagem da USP, 49( esp. 2), 162-167. doi:10.1590/S0080-623420150000800023
NLM
Tronchin DMR, Peres HHC, Lima AFC, Alavarce DC, Prata AP, Santos MR, Aroldi JB da C. Desenvolvimento do curso de gerenciamento em enfermagem on-line: experiência exitosa entre Brasil e Portugal [Internet]. Revista da Escola de Enfermagem da USP. 2015 ;49( esp. 2): 162-167.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S0080-623420150000800023
Vancouver
Tronchin DMR, Peres HHC, Lima AFC, Alavarce DC, Prata AP, Santos MR, Aroldi JB da C. Desenvolvimento do curso de gerenciamento em enfermagem on-line: experiência exitosa entre Brasil e Portugal [Internet]. Revista da Escola de Enfermagem da USP. 2015 ;49( esp. 2): 162-167.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S0080-623420150000800023
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ABNT
KODAIRA, Cláudia Akemi et al. Estudo fotoluminescente de 'SNO IND. 2':'EU POT. 3+' preparado pelo método Pechini. 2007, Anais.. São Paulo: SBQ, 2007. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Kodaira, C. A., Felinto, M. C. F. da C., Brito, H. F. de, Falla, P. H., & Peres, H. E. M. (2007). Estudo fotoluminescente de 'SNO IND. 2':'EU POT. 3+' preparado pelo método Pechini. In Programa e Resumos. São Paulo: SBQ.
NLM
Kodaira CA, Felinto MCF da C, Brito HF de, Falla PH, Peres HEM. Estudo fotoluminescente de 'SNO IND. 2':'EU POT. 3+' preparado pelo método Pechini. Programa e Resumos. 2007 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Kodaira CA, Felinto MCF da C, Brito HF de, Falla PH, Peres HEM. Estudo fotoluminescente de 'SNO IND. 2':'EU POT. 3+' preparado pelo método Pechini. Programa e Resumos. 2007 ;[citado 2024 out. 17 ]
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ABNT
LOWINSOHN, Denise et al. Matriz de microeletrodos de ouro: caracterização e modificação da superfície por óxidos de molibdênio. 2004, Anais.. Rio de Janeiro: UFRJ, 2004. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Lowinsohn, D., Peres, H. E. M., Kosminsky, L., Paixão, T. R. L. C. da, Ferreira, T. L., Ramírez Fernandez, F. J., & Bertotti, M. (2004). Matriz de microeletrodos de ouro: caracterização e modificação da superfície por óxidos de molibdênio. In Anais. Rio de Janeiro: UFRJ.
NLM
Lowinsohn D, Peres HEM, Kosminsky L, Paixão TRLC da, Ferreira TL, Ramírez Fernandez FJ, Bertotti M. Matriz de microeletrodos de ouro: caracterização e modificação da superfície por óxidos de molibdênio. Anais. 2004 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Lowinsohn D, Peres HEM, Kosminsky L, Paixão TRLC da, Ferreira TL, Ramírez Fernandez FJ, Bertotti M. Matriz de microeletrodos de ouro: caracterização e modificação da superfície por óxidos de molibdênio. Anais. 2004 ;[citado 2024 out. 17 ]
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado. Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Peres, H. E. M. (2003). Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Peres HEM. Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Peres HEM. Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 17 ]
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LEITE, W e PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Microestruturas de Si para aplicações neuroeletrônicas. 1997, Anais.. São Paulo: USP, 1997. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Leite, W., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Microestruturas de Si para aplicações neuroeletrônicas. In 5. SICUSP. São Paulo: USP.
NLM
Leite W, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Microestruturas de Si para aplicações neuroeletrônicas. 5. SICUSP. 1997 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Leite W, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Microestruturas de Si para aplicações neuroeletrônicas. 5. SICUSP. 1997 ;[citado 2024 out. 17 ]
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PERES, Henrique Estanislau Maldonado. Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino. 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/pt-br.php. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Peres, H. E. M. (1996). Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/pt-br.php
NLM
Peres HEM. Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino [Internet]. 1996 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/pt-br.php
Vancouver
Peres HEM. Implantação iônica de hidrogênio em silício monocristalino [Internet]. 1996 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27082024-112223/pt-br.php
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ABNT
KUO, P T S et al. Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Kuo, P. T. S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1995). Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Kuo PTS, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. Resumos. 1995 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Kuo PTS, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. Resumos. 1995 ;[citado 2024 out. 17 ]
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ABNT
PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar et al. Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. 1994, Anais.. Sao Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Perez Lisboa, M. O., Pereira, C. T., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. In Cbecimat: Anais. Sao Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Perez Lisboa MO, Pereira CT, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Perez Lisboa MO, Pereira CT, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 out. 17 ]
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Peres, H. E. M., Perez Lisboa, M. O., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Peres HEM, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. Anais. 1993 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Peres HEM, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. Anais. 1993 ;[citado 2024 out. 17 ]