Obtenção do perfil de impurezas utilizando a técnica de resistência de espraiamento (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: IfUSP/EpUSP/Ipt
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1994
- Source:
- Título: Cbecimat: Anais
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais
-
ABNT
PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar et al. Obtenção do perfil de impurezas utilizando a técnica de resistência de espraiamento. 1994, Anais.. São Paulo: IfUSP/EpUSP/Ipt, 1994. . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Perez Lisboa, M. O., Pereira, C. T., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Obtenção do perfil de impurezas utilizando a técnica de resistência de espraiamento. In Cbecimat: Anais. São Paulo: IfUSP/EpUSP/Ipt. -
NLM
Perez Lisboa MO, Pereira CT, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Obtenção do perfil de impurezas utilizando a técnica de resistência de espraiamento. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Perez Lisboa MO, Pereira CT, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Obtenção do perfil de impurezas utilizando a técnica de resistência de espraiamento. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2026 jan. 26 ] - Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia
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