Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ifusp/Epusp/Ipt
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Cbecimat: Anais
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais
-
ABNT
PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar et al. Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. 1994, Anais.. Sao Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Perez Lisboa, M. O., Pereira, C. T., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. In Cbecimat: Anais. Sao Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt. -
NLM
Perez Lisboa MO, Pereira CT, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Perez Lisboa MO, Pereira CT, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom)
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