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Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Artigo de periodico
'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study (2011)
Rigo, V A; Fazzio, A ; Miwa, R H; Silva, Antonio J R da
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: DENSIDADE
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ABNT
RIGO, V A et al. 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study. Journal of Applied Physics, v. 109, n. 5, p. 053715-1-053715-4, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3553849. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Rigo, V. A., Fazzio, A., Miwa, R. H., & Silva, A. J. R. da. (2011). 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study. Journal of Applied Physics, 109( 5), 053715-1-053715-4. doi:10.1063/1.3553849
NLM
Rigo VA, Fazzio A, Miwa RH, Silva AJR da. 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 5): 053715-1-053715-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3553849
Vancouver
Rigo VA, Fazzio A, Miwa RH, Silva AJR da. 'MN' dimers on graphene nanoribbons: An ab initio study [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 5): 053715-1-053715-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3553849
Artigo de periodico
Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons (2011)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 15, p. 155309, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons. PHYSICAL REVIEW B, 84( 15), 155309. doi:10.1103/PhysRevB.84.155309
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 15): 155309.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 15): 155309.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309
Artigo de periodico
Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators (2011)
Schmidt, Tome M; Miwa, R H; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, Tome M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245418, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245418. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2011). Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245418. doi:10.1103/PhysRevB.84.245418
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245418.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245418
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245418.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245418
Artigo de periodico
Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation (2011)
Wrasse, E O; Baierle, R. J; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, E O et al. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245324, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245324. doi:10.1103/PhysRevB.84.245324
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324
Artigo de periodico
Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes (2011)
Padilha, J E ; Amorim, R G; Rocha, A R; Silva, A J R da ; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: ENERGIA
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ABNT
PADILHA, J E et al. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, v. 151, n. 6, p. 482-486, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Padilha, J. E., Amorim, R. G., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, 151( 6), 482-486. doi:10.1016/j.ssc.2010.12.031
NLM
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031
Vancouver
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031
Artigo de periodico
Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment (2011)
Lima, Matheus P ; Silva, Antonio J R da ; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, CARBONO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P e SILVA, Antonio J R da e FAZZIO, A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245411, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.84.245411. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245411. doi:10.1103/physrevb.84.245411
NLM
Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245411.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.84.245411
Vancouver
Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245411.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.84.245411
Artigo de periodico
Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface (2011)
Miwa, R H; Schmidt, Tome M; Scopel, W L; Fazzio, A
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H et al. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 99, n. 16, p. 163108, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3653261. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. APPLIED PHYSICS LETTERS, 99( 16), 163108. doi:10.1063/1.3653261
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;99( 16): 163108.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3653261
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;99( 16): 163108.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3653261
Artigo de periodico
Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations (2011)
Almeida, J M de; Rocha, A R; Silva, Antonio J R da ; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, CARBONO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, J M de et al. Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 8, p. 085412-1-085412-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085412. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. PHYSICAL REVIEW B, 84( 8), 085412-1-085412-6. doi:10.1103/PhysRevB.84.085412
NLM
Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 8): 085412-1-085412-6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085412
Vancouver
Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 8): 085412-1-085412-6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085412
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413-1-195413-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413-1-195413-4. doi:10.1103/physrevb.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, G. M.; Fazzio, A; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, A e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Trabalho de evento
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fazzio, A
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium (1996)
Venezuela, P P M; Fazzio, A
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P P M e FAZZIO, A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, v. 77, n. 3 , p. 546-9, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Venezuela, P. P. M., & Fazzio, A. (1996). Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, 77( 3 ), 546-9.
NLM
Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Germanium negative-u center in 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 53, n. 3 , p. 1315-21, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1996). Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, 53( 3 ), 1315-21.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB' (1996)
Silva, A. F.; Dantas, N S; Mota, F B; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, A. F. et al. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, v. 99, n. 4 , p. 295-7, 1996Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Silva, A. F., Dantas, N. S., Mota, F. B., Canuto, S., & Fazzio, A. (1996). Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, 99( 4 ), 295-7.
NLM
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS' (1995)
Fazzio, A; Schmidt, T M
Source: Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, A e SCHMIDT, T M. Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 29, p. 203-6, 1995Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Fazzio, A., & Schmidt, T. M. (1995). Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 29, 203-6.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM. Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1995 ;29 203-6.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM. Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1995 ;29 203-6.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters (1995)
Piquini, P; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Zeitschrift Fur Physik D. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, v. 33, p. 125-31, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bf01437431. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Piquini, P., Fazzio, A., & Canuto, S. (1995). Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, 33, 125-31. doi:10.1007/bf01437431
NLM
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
Vancouver
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431

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