Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
- Autor:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapore
- Date published: 1996
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors
-
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 12 dez. 2025. -
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific. -
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2025 dez. 12 ] -
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2025 dez. 12 ] - Cadeias lineares de carbono
- Estrutura eletronica do yb substitucional do gap
- Efeitos de multipletos e relativistico na estrutura eletronica de impurezas ad. Em gap
- Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas
- Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal
- Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos
- Na busca de um nanotransistor ... Grafeno
- Theoretical investigations of Ge nanowires grown along the [110] and [111] directions
- Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes
- Electronic and magnetic properties of Ti and Fe on graphene
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
