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Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Relatorio tecnico
Spin-texture and magnetic anisotropy of 'CO' adsorbed 'BI'IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator surfaces (2011)
Schmidt, Tome M; Miwa, R H; Fazzio, A
Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, Tome M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Spin-texture and magnetic anisotropy of 'CO' adsorbed 'BI'IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator surfaces. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1107/1107.3810v1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024. , 2011
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2011). Spin-texture and magnetic anisotropy of 'CO' adsorbed 'BI'IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator surfaces. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1107/1107.3810v1.pdf
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Spin-texture and magnetic anisotropy of 'CO' adsorbed 'BI'IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator surfaces [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1107/1107.3810v1.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Spin-texture and magnetic anisotropy of 'CO' adsorbed 'BI'IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator surfaces [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1107/1107.3810v1.pdf
Artigo de periodico
Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons (2011)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 15, p. 155309, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons. PHYSICAL REVIEW B, 84( 15), 155309. doi:10.1103/PhysRevB.84.155309
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 15): 155309.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 15): 155309.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309
Relatorio tecnico
Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment (2011)
Lima, Matheus P; Silva, Antônio J. R. da; Fazzio, A
Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P e SILVA, Antônio J. R. da e FAZZIO, A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024. , 2011
APA
Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf
NLM
Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf
Vancouver
Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf
Artigo de periodico
Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation (2011)
Wrasse, E O; Baierle, R. J; Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, E O et al. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245324, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245324. doi:10.1103/PhysRevB.84.245324
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324
Artigo de periodico
Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators (2011)
Schmidt, Tome M; Miwa, R H; Fazzio, A
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245418, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245418. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2011). Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245418. doi:10.1103/PhysRevB.84.245418
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245418.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245418
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Spin texture and magnetic anisotropy of 'CO' impurities in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245418.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245418
Relatorio tecnico
Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface (2011)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Scopel, W L; Fazzio, A
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H et al. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024. , 2011
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf
Artigo de periodico
Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes (2011)
Padilha, J E ; Amorim, R G; Rocha, A R; Silva, A J R da ; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: ENERGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, J E et al. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, v. 151, n. 6, p. 482-486, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Padilha, J. E., Amorim, R. G., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, 151( 6), 482-486. doi:10.1016/j.ssc.2010.12.031
NLM
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031
Vancouver
Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031
Artigo de periodico
Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface (2011)
Miwa, R H; Schmidt, Tome M; Scopel, W L; Fazzio, A
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H et al. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 99, n. 16, p. 163108, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3653261. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. APPLIED PHYSICS LETTERS, 99( 16), 163108. doi:10.1063/1.3653261
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;99( 16): 163108.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3653261
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;99( 16): 163108.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3653261
Trabalho de evento-resumo
Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno (2011)
Torres, Alberto; Silva, A J R da; Fazzio, A
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: TERMOELETRICIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Alberto e SILVA, A J R da e FAZZIO, A. Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Torres, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf
NLM
Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf
Vancouver
Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413-1-195413-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413-1-195413-4. doi:10.1103/physrevb.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Trabalho de evento-resumo
Designing realistic graphene-based spintronics devices (2010)
Rocha, A R; Martins, T B; Fazzio, A; Silva, A J R da
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROCHA, A R et al. Designing realistic graphene-based spintronics devices. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Rocha, A. R., Martins, T. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Designing realistic graphene-based spintronics devices. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf
NLM
Rocha AR, Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Designing realistic graphene-based spintronics devices [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf
Vancouver
Rocha AR, Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Designing realistic graphene-based spintronics devices [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, G. M.; Fazzio, A; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, A e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 14 set. 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 set. 14 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 set. 14 ]
Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of a-SiN (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 14 ]
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Mota, R.; Piquini, P
Source: resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 14 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 14 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 14 set. 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 set. 14 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 set. 14 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Trabalho de evento
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fazzio, A
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 set. 14 ]
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 set. 14 ]

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