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Trabalho de evento-anais periodico
Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Physica B: Condensed Matter. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 26 out. 2025. , 2009
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Trabalho de evento-anais periodico
A model for the stabilization of atomic hydrogen centers in borate glasses (2009)
Pontuschka, W. M.; Isotani, Sadao
Fonte: Physica B: Condensed Matter. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
PONTUSCHKA, W. M. e ISOTANI, Sadao. A model for the stabilization of atomic hydrogen centers in borate glasses. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09214526. Acesso em: 26 out. 2025. , 2009
APA
Pontuschka, W. M., & Isotani, S. (2009). A model for the stabilization of atomic hydrogen centers in borate glasses. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/09214526
NLM
Pontuschka WM, Isotani S. A model for the stabilization of atomic hydrogen centers in borate glasses [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 21): 4312-4317.[citado 2025 out. 26 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09214526
Vancouver
Pontuschka WM, Isotani S. A model for the stabilization of atomic hydrogen centers in borate glasses [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 21): 4312-4317.[citado 2025 out. 26 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09214526
Trabalho de evento-resumo
New opportunities in X-ray characterization of semiconductors (2003)
Morelhão, Sérgio Luiz
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, RAIOS X
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz. New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Morelhão, S. L. (2003). New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Morelhão SL. New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Morelhão SL. New opportunities in X-ray characterization of semiconductors. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto ; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Fonte: Books Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. In Books Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. In Book of Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of organic polymer films (2003)
Ferretti, A; Bussi, G; Ruini, A; Molinari, E; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Book of Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
FERRETTI, A et al. Electronic properties of organic polymer films. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Ferretti, A., Bussi, G., Ruini, A., Molinari, E., & Caldas, M. J. (2003). Electronic properties of organic polymer films. In Book of Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Ferretti A, Bussi G, Ruini A, Molinari E, Caldas MJ. Electronic properties of organic polymer films. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Ferretti A, Bussi G, Ruini A, Molinari E, Caldas MJ. Electronic properties of organic polymer films. Book of Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide (2003)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Iikawa, F; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2003)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Manganese and iron impurities in gallium nitride (2003)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts II (POSTER). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Manganese and iron impurities in gallium nitride. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Ayres, F., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Manganese and iron impurities in gallium nitride. In Book of Abstracts II (POSTER). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese and iron impurities in gallium nitride. Book of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Assali LVC, Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese and iron impurities in gallium nitride. Book of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase (2003)
Anjos, Virgílio de Carvalho dos; Bell, M J V; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANJOS, Virgílio de Carvalho dos e BELL, M J V e LEITE, J. R. Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Anjos, V. de C. dos, Bell, M. J. V., & Leite, J. R. (2003). Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Anjos V de C dos, Bell MJV, Leite JR. Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Anjos V de C dos, Bell MJV, Leite JR. Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface (2003)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Books of Abstracts II (POSTER). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. In Books of Abstracts II (POSTER). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. Books of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. Books of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, C R; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, C R et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Torsional defects in organic semiconductors (2003)
Capaz, R B; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Book of Abstracts-Panel. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, R B e CALDAS, Marilia Junqueira. Torsional defects in organic semiconductors. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Capaz, R. B., & Caldas, M. J. (2003). Torsional defects in organic semiconductors. In Book of Abstracts-Panel. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Capaz RB, Caldas MJ. Torsional defects in organic semiconductors. Book of Abstracts-Panel. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Capaz RB, Caldas MJ. Torsional defects in organic semiconductors. Book of Abstracts-Panel. 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si (2003)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As (2001)
Pusep, Yuri A ; Chiquito, A. J.; Fortunato, W.; Galzerani, Jose Carlos
Fonte: Physica B. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 26 out. 2025. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Fortunato, W., & Galzerani, J. C. (2001). Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 843-845.[citado 2025 out. 26 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 843-845.[citado 2025 out. 26 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder (2001)
Pusep, Yuri A ; Sokolov, S. S.; Fortunato, W.; Galzerani, Jose Carlos; Leite, José Roberto
Fonte: Physica B. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3. Acesso em: 26 out. 2025. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Fortunato, W., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/S0921-4526(01)00835-3
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 772-775.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3
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Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 772-775.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3

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