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Trabalho de evento-anais periodico
EDMR of MEH-PPV LEDs (2001)
Silva, G. B.; Santos, L. F.; Faria, Roberto Mendonça ; Graeff, Carlos Frederico de Oliveira
Fonte: Physica B. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IFSC, FFCLRP
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
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ABNT
SILVA, G. B. et al. EDMR of MEH-PPV LEDs. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00859-6. Acesso em: 26 out. 2025. , 2001
APA
Silva, G. B., Santos, L. F., Faria, R. M., & Graeff, C. F. de O. (2001). EDMR of MEH-PPV LEDs. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/S0921-4526(01)00859-6
NLM
Silva GB, Santos LF, Faria RM, Graeff CF de O. EDMR of MEH-PPV LEDs [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 1078-1080.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00859-6
Vancouver
Silva GB, Santos LF, Faria RM, Graeff CF de O. EDMR of MEH-PPV LEDs [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 1078-1080.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00859-6
Trabalho de evento-anais periodico
Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As (2001)
Pusep, Yuri A ; Chiquito, A. J.; Fortunato, W.; Galzerani, Jose Carlos
Fonte: Physica B. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 26 out. 2025. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Fortunato, W., & Galzerani, J. C. (2001). Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 843-845.[citado 2025 out. 26 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon-like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.x''Ga IND.1-x'As [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 843-845.[citado 2025 out. 26 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v308-310inone&article=843_pooteltdcida&form=pdf&file=file.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder (2001)
Pusep, Yuri A ; Sokolov, S. S.; Fortunato, W.; Galzerani, Jose Carlos; Leite, José Roberto
Fonte: Physica B. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3. Acesso em: 26 out. 2025. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Fortunato, W., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Physica B. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/S0921-4526(01)00835-3
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 772-775.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder [Internet]. Physica B. 2001 ;308-310 772-775.[citado 2025 out. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00835-3
Trabalho de evento-resumo
Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As (2001)
Pusep, Yuri A ; Chiquito, A. J.; Fortunato, W.; Galzerani, J. C.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. 2001, Anais.. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Fortunato, W., & Galzerani, J. C. (2001). Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. In Proceedings. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
2DEG formed by magnetic field in superlattices (2001)
Pusep, Yuri A ; Gusev, G. M.; Chiquito, A. J.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. 2DEG formed by magnetic field in superlattices. 2001, Anais.. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Chiquito, A. J., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Leite, J. R. (2001). 2DEG formed by magnetic field in superlattices. In Proceedings. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. 2DEG formed by magnetic field in superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. 2DEG formed by magnetic field in superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder (2001)
Pusep, Yuri A ; Sokolov, S. S.; Galzerani, J C; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. 2001, Anais.. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 26 out. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. In Proceedings. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp (1986)
Motisuke, P; Iikawa, F; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto ; Pereira Neto, J R
Fonte: Mat Science Forum. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
MOTISUKE, P et al. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 26 out. 2025. , 1986
APA
Motisuke, P., Iikawa, F., Caldas, M. J., Fazzio, A., & Pereira Neto, J. R. (1986). On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon (1986)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Fonte: Mat Science Forum. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 26 out. 2025. , 1986
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.1): 55-60.[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.1): 55-60.[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers (1986)
Hahn, S; Shatas, S; Stein, H J; Arst, M; Sadana, D K; Rek, Z U; Stojanoff, Vivian
Fonte: Mat Science Forum. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAHN, S et al. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 26 out. 2025. , 1986
APA
Hahn, S., Shatas, S., Stein, H. J., Arst, M., Sadana, D. K., Rek, Z. U., & Stojanoff, V. (1986). Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2025 out. 26 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon (1986)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Fonte: Mat Science Forum. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 26 out. 2025. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1986). Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2025 out. 26 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2025 out. 26 ]

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