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Trabalho de evento-resumo
Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho (2024)
Santos, Eduardo Afonso Moreira; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
SANTOS, Eduardo Afonso Moreira e SIPAHI, Guilherme Matos. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Santos, E. A. M., & Sipahi, G. M. (2024). Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf
NLM
Santos EAM, Sipahi GM. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf
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Santos EAM, Sipahi GM. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf
Trabalho de evento-resumo
Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors (2024)
Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
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Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
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Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido (2024)
Mazziero, Mateus Lopes; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SISTEMAS HAMILTONIANOS, RECONHECIMENTO DE PADRÕES, CARBONO, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
MAZZIERO, Mateus Lopes e SIPAHI, Guilherme Matos. Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Mazziero, M. L., & Sipahi, G. M. (2024). Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf
NLM
Mazziero ML, Sipahi GM. Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf
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Mazziero ML, Sipahi GM. Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor (2024)
Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, APRENDIZADO COMPUTACIONAL, FÍSICA COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
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Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita (2024)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson Henrique
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, MODELOS MATEMÁTICOS
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson Henrique. Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. H. (2024). Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf
NLM
Sipahi GM, Siqueira AH. Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf
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Sipahi GM, Siqueira AH. Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf
Trabalho de evento-resumo
K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Alves, Horácio Wagner Leite; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, FÍSICA COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Alves, H. W. L., Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2024). K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf
NLM
Sandoval MAT, Alves HWL, Wanderley AB, Sipahi GM. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf
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Sandoval MAT, Alves HWL, Wanderley AB, Sipahi GM. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade (2024)
Sipahi, Guilherme Matos ; Pauli, Ian Giestas
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, COMPUTAÇÃO QUÂNTICA, SISTEMA QUÂNTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e PAULI, Ian Giestas. Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sipahi, G. M., & Pauli, I. G. (2024). Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf
NLM
Sipahi GM, Pauli IG. Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf
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Sipahi GM, Pauli IG. Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Oliveira, Caio Estevão de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e OLIVEIRA, Caio Estevão de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Oliveira, C. E. de. (2023). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do strain em nanofios politípicos (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2023). Efeitos do strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2023). Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
NLM
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade (2023)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2023). Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 06 out. 2025. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2022)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2022). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf

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