Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors (2024)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; WANDERLEY, ADILSON BARROS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA; SISTEMAS HAMILTONIANOS; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM
- Publisher place: Campinas
- Date published: 2024
- Source:
- Título: Abstract Book
- Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP
-
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf. Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf -
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf -
Vancouver
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf - Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties
- K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria
- Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor
- Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties
- Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor
- Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
- Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes
- Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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3236394.pdf |
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