Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; WANDERLEY, ADILSON BARROS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; SISTEMAS HAMILTONIANOS
- Keywords: Método k·p; Hamiltoniano efetivo; Semicondutores
- Agências de fomento:
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2022
- Source:
- Título: Livro de Resumos
- Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
-
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf -
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf -
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf - Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor
- K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements
- Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties
- Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors
- Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes
- Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor
- Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties
- Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
- Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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3121396.pdf | Direct link |
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