K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements (2024)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; WANDERLEY, ADILSON BARROS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL; FÍSICA COMPUTACIONAL; SEMICONDUTORES
- Keywords: III-V semiconductor; K·p Hamiltonian; G-factor
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2024
- Source:
- Título: Livro de Resumos
- ISSN: 2965-7679
- Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
-
ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Sandoval, M. A. T., Alves, H. W. L., Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2024). K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf -
NLM
Sandoval MAT, Alves HWL, Wanderley AB, Sipahi GM. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf -
Vancouver
Sandoval MAT, Alves HWL, Wanderley AB, Sipahi GM. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf - Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria
- Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties
- Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors
- Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes
- Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor
- Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties
- Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
- Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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