Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; CHUBACI, JOSE FERNANDO DINIZ - IF ; WANDERLEY, ADILSON BARROS - IFSC
- Unidades: IFSC; IF
- DOI: 10.1063/5.0187962
- Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL; SEMICONDUTORES
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, Mar. 2024
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: hybrid
- Licença: cc-by-nc
-
ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962 -
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962 -
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962 - Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria
- K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements
- Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties
- Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors
- Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes
- Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos
- Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor
- Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties
- Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria
Informações sobre o DOI: 10.1063/5.0187962 (Fonte: oaDOI API)
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