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Trabalho de evento-resumo
Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Artigo de periodico
Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmuller, J; Bechstedt, F
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MUDANÇA DE FASE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 12, p. 7109-7113, 2002Tradução . . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2002). Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 92( 12), 7109-7113.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2024 ago. 13 ]
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 448-451, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 448-451. doi:10.1590/s0103-97332002000200059
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. 90-93, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), 90-93. doi:10.1016/s0921-5107(02)00036-3
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Artigo de periodico
Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 3, p. 956-960, 2002Tradução . . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Leite, J. R. (2002). Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 3), 956-960.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 ago. 13 ]
Artigo de periodico
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices (2002)
Rodrigues, Sara C P; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos; Noriega, O C; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Sara C P et al. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, v. 234, n. 3, p. 906-910, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2002). K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, 234( 3), 906-910. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Trabalho de evento-resumo
Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods (2002)
Caetanos, E W S; Pereira, T; Freire, V N (Departmento de Física, Unversidade Federal do Ceará, Fortalexa, CE, Brasil); Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E. F
Source: Program e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANOS, E W S et al. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Caetanos, E. W. S., Pereira, T., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. (2002). Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. In Program e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Caetanos EWS, Pereira T, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Caetanos EWS, Pereira T, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Noriega, O C; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Artigo de periodico
First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys (2002)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 405-408, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 405-408. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Artigo de periodico
Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 23, p. 5813-5827, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 23), 5813-5827. doi:10.1088/0953-8984/14/23/312
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 23): 5813-5827.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 23): 5813-5827.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/23/312
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Noriega, Odille Cue; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T.; Lischka, K.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N (2002)
Ramos, L. E.; Furthmüller, J.; Bechstedt, F.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L. E. et al. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 14, n. 10, p. 2577-2589, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, 14( 10), 2577-2589. Recuperado de http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
NLM
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
Vancouver
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
Artigo de periodico
Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Furthmuller, K; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2024 ago. 13 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Bechstedt, F
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAMOS, L E et al. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, v. 66, n. 7, p. 075209/1-075209/ , 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209. Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Bechstedt, F. (2002). Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, 66( 7), 075209/1-075209/ . doi:10.1103/physrevb.66.075209
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2024 ago. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Trabalho de evento-resumo
Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots (2002)
Caetano, E W S; Pereira, T; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assunto: MATERIAIS
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ABNT
CAETANO, E W S et al. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Caetano, E. W. S., Pereira, T., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. (2002). Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Caetano EWS, Pereira T, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Caetano EWS, Pereira T, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SiSrTiO IND.3' nanodots. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Artigo de periodico
Carbon-based defects in GaN: doping behaviour (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, L E et al. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002Tradução . . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2002). Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 4), 864-867.
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 ago. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, Jose Roberto
Source: Programa e resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 13 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. In Programa e resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. Programa e resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical luminescence spectra determination in GaAsN/GaAs quantum wells. Programa e resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 13 ]

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