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  • Artigo de periodico

    Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)

    Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003

    • NLM

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003

    • Vancouver

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003

  • Artigo de periodico

    Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys (2005)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Physics Status Solidi C. Unidade: IF

    Assunto: ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, v. 2, n. 7, p. 2508-2511, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, 2( 7), 2508-2511. doi:10.1002/pssc.200461516

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516

  • Trabalho de evento-resumo

    Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)

    Lopes, K. C.; Matsuoka, Massao; Sucasaire, W; Mittani, Juan C. R ; Avanci, L. H; Chubaci, José Fernando Diniz ; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira ; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf

    • NLM

      Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCB da S, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf

    • Vancouver

      Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCB da S, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures (2005)

    Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha; Leite, J. R.

    Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1994119. Acesso em: 03 nov. 2025. , 2005

    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, I. C. da C., & Leite, J. R. (2005). Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.1994119

    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119

    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119

  • Trabalho de evento-resumo

    Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn (2005)

    Caetano, Eweron Wagner Santos; Freire, Valder Nogueira; Farias, Gil de Aquino; Pinheiro, Jean Reinildes; Cavada, B. S.; Leite, J. R.; Alves, Horacio Wagner Leite

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAETANO, Eweron Wagner Santos et al. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Caetano, E. W. S., Freire, V. N., Farias, G. de A., Pinheiro, J. R., Cavada, B. S., Leite, J. R., & Alves, H. W. L. (2005). Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf

    • NLM

      Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf

    • Vancouver

      Caetano EWS, Freire VN, Farias G de A, Pinheiro JR, Cavada BS, Leite JR, Alves HWL. Quenching da luminescência em cristais de L-alanina dopados com Mn [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0428-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)

    Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.

    Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004

    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004

    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004

  • Artigo de periodico

    Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region (2005)

    Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, v. 278, p. 103-107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2005). Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, 278, 103-107. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118

    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118

    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118

  • Artigo de periodico

    Growth and characterization of cubic (2005)

    Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K

    Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20

    • NLM

      Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20

    • Vancouver

      Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20

  • Trabalho de evento-resumo

    DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas (2005)

    Anjos, V; Leão, S A; Souza, M A R; Leite, J. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ANJOS, V et al. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2005). DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf

    • NLM

      Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf

    • Vancouver

      Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf

  • Artigo de periodico

    Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311

    • NLM

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311

    • Vancouver

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311

  • Artigo de periodico

    The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)

    Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005

    • NLM

      Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005

    • Vancouver

      Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005

  • Trabalho de evento-resumo

    Linear negative magnetoresistance due to memory effects in two-dimensional electron gas in nonplanar topology (2004)

    Sotomayor, N M; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A A; Bakarov, A K; Kudryashev, V M; Toropov, A I

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOTOMAYOR, N M et al. Linear negative magnetoresistance due to memory effects in two-dimensional electron gas in nonplanar topology. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0869-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Bakarov, A. K., Kudryashev, V. M., & Toropov, A. I. (2004). Linear negative magnetoresistance due to memory effects in two-dimensional electron gas in nonplanar topology. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0869-1.pdf

    • NLM

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Bakarov AK, Kudryashev VM, Toropov AI. Linear negative magnetoresistance due to memory effects in two-dimensional electron gas in nonplanar topology [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0869-1.pdf

    • Vancouver

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Bakarov AK, Kudryashev VM, Toropov AI. Linear negative magnetoresistance due to memory effects in two-dimensional electron gas in nonplanar topology [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0869-1.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2004)

    Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos

    Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS. Unidades: IF, IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. 2004, Anais.. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2004). Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. In Abstracts. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ]

    • Vancouver

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)

    Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Lima, Ivan C. da Cunha; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, Sara C. P. et al. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ]

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices (2004)

    Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, Ivan C. Cunha

    Source: Program and Abstracts. Conference titles: The Internacional Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices - ICSNN. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. 2004, Anais.. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Lima, I. C. C. (2004). Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. In Program and Abstracts. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ]

    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ]

  • Artigo de periodico

    Hole mobility in zincblende c-GaN (2004)

    Rodrigues, C G; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Chitta, Valmir Antonio ; Freire, V N; Vasconcellos, A R; Luzzi, R

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, TERMODINÂMICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      RODRIGUES, C G et al. Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Rodrigues, C. G., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Chitta, V. A., Freire, V. N., Vasconcellos, A. R., & Luzzi, R. (2004). Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips

    • NLM

      Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips

  • Artigo de jornal-dep/entr

    Presente e futuro. [Depoimento] (2004)

    Camargo, Erney Felício Plessmann de; Pavan, Crodowaldo; Neves, Walter ; Leite, J. R.

    Source: Folha de São Paulo. Unidades: ICB, IB, IF

    Assunto: UNIVERSIDADE (HISTÓRIA)

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAMARGO, Erney Felício Plessmann de et al. Presente e futuro. [Depoimento]. Folha de São Paulo. São Paulo: Instituto de Ciências Biomédicas, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 nov. 2025. , 2004

    • APA

      Camargo, E. F. P. de, Pavan, C., Neves, W., & Leite, J. R. (2004). Presente e futuro. [Depoimento]. Folha de São Paulo. São Paulo: Instituto de Ciências Biomédicas, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Camargo EFP de, Pavan C, Neves W, Leite JR. Presente e futuro. [Depoimento]. Folha de São Paulo. 2004 ;(23 ja 2004. p. 11):[citado 2025 nov. 03 ]

    • Vancouver

      Camargo EFP de, Pavan C, Neves W, Leite JR. Presente e futuro. [Depoimento]. Folha de São Paulo. 2004 ;(23 ja 2004. p. 11):[citado 2025 nov. 03 ]

  • Artigo de periodico

    Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures (2004)

    Boselli, M A; Lima, I C da Cunha; Leite, J. R.; Troper, A; Ghazali, A

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, FERROMAGNETISMO, MÉTODO DE MONTE CARLO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      BOSELLI, M A et al. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1646759. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Leite, J. R., Troper, A., & Ghazali, A. (2004). Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.1646759

    • NLM

      Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1646759

    • Vancouver

      Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetism in the metallic phase of (Ga, Mn)N nanostructures [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1646759

  • Trabalho de evento-resumo

    First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys (2004)

    Marques, Marcelo; Telles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARQUES, Marcelo et al. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Telles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2004). First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf

    • NLM

      Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf

    • Vancouver

      Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures (2004)

    Almeida, R B; Borges, A N; Machado, P C M; Leite, J. R.; Osório, F A P

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES FUNDAMENTAIS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, R B et al. Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures. Solid State Communications, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf. Acesso em: 03 nov. 2025.

    • APA

      Almeida, R. B., Borges, A. N., Machado, P. C. M., Leite, J. R., & Osório, F. A. P. (2004). Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures. Solid State Communications. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf

    • NLM

      Almeida RB, Borges AN, Machado PCM, Leite JR, Osório FAP. Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures [Internet]. Solid State Communications. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf

    • Vancouver

      Almeida RB, Borges AN, Machado PCM, Leite JR, Osório FAP. Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures [Internet]. Solid State Communications. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf

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