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Artigo de periodico
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Collaert, Nadine ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 64, n. 9, p. 3595-3600, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bordallo, C. C. M., Collaert, N., Claeys, C., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2017). The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 64( 9), 3595-3600. doi:10.1109/ted.2017.2721110
NLM
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Vancouver
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Vancouver
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Artigo de periodico
Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Claeys, Cor ; Thean, Aaron; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Agopian, Paula Ghedini Der ; Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 7, p. 2930-2935, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bordallo, C. C. M., Claeys, C., Thean, A., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2016). Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 7), 2930-2935. doi:10.1109/ted.2016.2559580
NLM
Bordallo CCM, Claeys C, Thean A, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Agopian PGD, Sivieri V de B, Martino JA. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 7): 2930-2935.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580
Vancouver
Bordallo CCM, Claeys C, Thean A, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Agopian PGD, Sivieri V de B, Martino JA. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 7): 2930-2935.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580
Artigo de periodico
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 12, p. 124001, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bordallo, C. C. M., Vandooren, A., Rooyackers, R., Mols, Y., Alian, A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, 31( 12), 124001. doi:10.1088/0268-1242/31/12/124001
NLM
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Vancouver
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Artigo de periodico
InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature (2016)
Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Verhulist, A.; Verreck, D.; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Martino, João Antonio ; Alian1, Y. Mols1, C. C. M. Bordallo2, D. Verreck3, A. Verhulst1, A. Vandooren1, R. Rooyackers1, P. G. D. Agopian2,4, J. A. Martino2, A. Thean1,a), D. Lin1, D. Mocuta1, and N. Collaert1
Source: Applied Physics Letters. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
ALIAN, A et al. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, v. 109, n. 24, p. 243502, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4971830. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Alian, A., Agopian, P. G. D., Verhulist, A., Verreck, D., Bordallo, C. C. M., Martino, J. A., & Alian1, Y. M. 1. (2016). InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, 109( 24), 243502. doi:10.1063/1.4971830
NLM
Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830
Vancouver
Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830
Artigo de periodico
Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs (2014)
Teixeira, Fernando Ferrari; Martino, João Antonio ; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEIXEIRA, Fernando Ferrari et al. Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 9, n. 2, p. 97-102, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v9i2.394. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Teixeira, F. F., Martino, J. A., Bordallo, C. C. M., Silveira, M. A. G. da, Agopian, P. G. D., Simoen, E., & Claeys, C. (2014). Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, 9( 2), 97-102. doi:10.29292/jics.v9i2.394
NLM
Teixeira FF, Martino JA, Bordallo CCM, Silveira MAG da, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C. Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2014 ; 9( 2): 97-102.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v9i2.394
Vancouver
Teixeira FF, Martino JA, Bordallo CCM, Silveira MAG da, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C. Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2014 ; 9( 2): 97-102.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v9i2.394
Artigo de periodico
Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation (2014)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Martino, João Antonio ; Teixeira, Fernando Ferrari; Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: RAIOS X, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation. Semiconductor Science and Technology, v. 29, n. 12, p. 125015, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/29/12/125015. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bordallo, C. C. M., Martino, J. A., Teixeira, F. F., Silveira, M. A. G. da, Agopian, P. G. D., Simoen, E., & Claeys, C. (2014). Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation. Semiconductor Science and Technology, 29( 12), 125015. doi:10.1088/0268-1242/29/12/125015
NLM
Bordallo CCM, Martino JA, Teixeira FF, Silveira MAG da, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C. Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2014 ; 29( 12): 125015.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/29/12/125015
Vancouver
Bordallo CCM, Martino JA, Teixeira FF, Silveira MAG da, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C. Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2014 ; 29( 12): 125015.[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/29/12/125015

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