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Artigo de periodico
Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N' (2016)
Righetti, Victor Augusto Nieto; Godoy, M. P. F. de; Rodrigues, A. D.; Abramof, E.; Dias, J. F.; Schikora, D.; As, D. J.; Lischka, K.; Gratens, Xavier Pierre Marie; Chitta, Valmir Antonio
Fonte: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Assuntos: SUPERCONDUTIVIDADE, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
RIGHETTI, Victor Augusto Nieto et al. Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 120, n. 10, p. 103901, 2016Tradução . . Disponível em: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4962275. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Righetti, V. A. N., Godoy, M. P. F. de, Rodrigues, A. D., Abramof, E., Dias, J. F., Schikora, D., et al. (2016). Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 120( 10), 103901. doi:10.1063/1.4962275
NLM
Righetti VAN, Godoy MPF de, Rodrigues AD, Abramof E, Dias JF, Schikora D, As DJ, Lischka K, Gratens XPM, Chitta VA. Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 120( 10): 103901.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4962275
Vancouver
Righetti VAN, Godoy MPF de, Rodrigues AD, Abramof E, Dias JF, Schikora D, As DJ, Lischka K, Gratens XPM, Chitta VA. Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 120( 10): 103901.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4962275
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Noriega, Odille Cue; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T.; Lischka, K.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells (2002)
Noriega, O. C.; Leite, J. R.; Meneses, E. A.; Soares, J. A. N. T.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos ; Köhler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K.
Fonte: Physica Status Solidi C. Nome do evento: International Workshop on Nitride Semiconductors - IWM. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
NORIEGA, O. C. et al. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105. Acesso em: 01 nov. 2025. , 2002
APA
Noriega, O. C., Leite, J. R., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., et al. (2002). Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. doi:10.1002/pssc.200390105
NLM
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Vancouver
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Artigo de periodico
Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Trabalho de evento-resumo
Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
Lemos, Voila; Silveira, Edilson; Leite, J. R.; Tabata, Americo; Trentin, R.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LEMOS, Voila et al. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (1999). Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (1999)
Lima, A. P.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Kaiser, S.; Schikora, D.; Schottker, B.; Frey, T.; Lischka, K.
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA
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ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 202, p. 396-398, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Lima, A. P., Tabata, A., Leite, J. R., Kaiser, S., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 202, 396-398. doi:10.1016/s0022-0248(98)01359-1
NLM
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Vancouver
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
Silveira, E.; Lemos, V.; Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Frey, T.; Schttker, B.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Silveira, E., Lemos, V., Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Frey, T., et al. (1999). Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silveira E, Lemos V, Tabata A, Lima AP, Leite JR, Frey T, Schttker B, Schikora D, Lischka K. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Silveira E, Lemos V, Tabata A, Lima AP, Leite JR, Frey T, Schttker B, Schikora D, Lischka K. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys (1999)
Tabata, A.; Silveira, E.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Fonte: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 769-774, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Silveira, E., Leite, J. R., Trentin, R., Scolfaro, L. M. R., Lemos, V., et al. (1999). Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, 216( 1), 769-774.
NLM
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2025 nov. 01 ]

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