Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 15 nov. 2024. -
APA
Silveira, E., Lemos, V., Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Frey, T., et al. (1999). Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Silveira E, Lemos V, Tabata A, Lima AP, Leite JR, Frey T, Schttker B, Schikora D, Lischka K. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 15 ] -
Vancouver
Silveira E, Lemos V, Tabata A, Lima AP, Leite JR, Frey T, Schttker B, Schikora D, Lischka K. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 15 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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