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Artigo de periodico
Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells (1998)
Lino, A T; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
NLM
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Vancouver
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Artigo de periodico
Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields (1997)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TAKAHASHI, E K e LINO, A T e SCÓLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, v. 11, n. 9, p. 1195-1207, 1997Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., & Scólfaro, L. M. R. (1997). Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, 11( 9), 1195-1207.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados (1996)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields (1996)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' (1995)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de campos magneticos in-plane nas sub-bandas de energia de pocos quanticos tipo 'GA''AS' / 'GA''AL''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos (1994)
Takahashi, E K; Lino, A T; Schmidt, T M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Schmidt, T. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Schmidt TM, Scolfaro LMR, Leite JR. Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores (1994)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., & Leite, J. R. (1994). Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Beliaev D, Leite JR. Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores. Resumos. 1994 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS' (1994)
Scolfaro, L M R; Lino, A T; Takahashi, E; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, v. s28, p. 667-73, 1994Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Takahashi, E., & Leite, J. R. (1994). Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, s28, 667-73.
NLM
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio (1993)
Lino, A T; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1993). Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Assali LVC, Leite JR. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Leite JR. Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon (1990)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method (1990)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, v. 41, n. 3 , p. 1691-4, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1990). Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method. Physical Review B, 41( 3 ), 1691-4. doi:10.1103/physrevb.41.1691
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method [Internet]. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Band-structure calculations of bn by the self-consistent variational cellular method [Internet]. Physical Review B. 1990 ;41( 3 ): 1691-4.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.41.1691
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 701, 1989Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional (1988)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1988). Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio (1988)
Lino, A T; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium (1988)
Lino, A T; Takahashi, E K; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Revista Brasileira de Fisica. Unidade: IF
Assunto: SÓDIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica, v. 18, n. 1 , p. 11-29, 1988Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1988). Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica, 18( 1 ), 11-29.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 1 ): 11-29.[citado 2025 nov. 03 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Self-consistent field variational cellular method as applied to the band structure calculation of sodium. Revista Brasileira de Fisica. 1988 ;18( 1 ): 11-29.[citado 2025 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method (1987)
Lino, A T; Takahashi, E K; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: International Journal of Quantum Chemistry Symposia. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, v. 21, p. 105-13, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560320714. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1987). Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, 21, 105-13. doi:10.1002/qua.560320714
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 105-13.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320714
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Leite JR, Ferraz AC. Band structure of silicon by the self-consistent variational cellular method [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 105-13.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320714
Artigo de periodico
Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon (1987)
Lino, A T; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.; Takahashi, E K
Source: Journal of Physics and Chemistry of Solids. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 48, n. 10, p. 911-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90127-2. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Ferraz, A. C., & Takahashi, E. K. (1987). Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 48( 10), 911-9. doi:10.1016/0022-3697(87)90127-2
NLM
Lino AT, Leite JR, Ferraz AC, Takahashi EK. Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon [Internet]. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1987 ;48( 10): 911-9.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90127-2
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Ferraz AC, Takahashi EK. Self-consistent formulation of the variational cellular method applied to periodic structures: results for sodium and silicon [Internet]. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1987 ;48( 10): 911-9.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3697(87)90127-2
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional (1985)
Takahashi, E K; Lino, A T; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 nov. 2025. , 1985
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1985). Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2025 nov. 03 ]
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Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2025 nov. 03 ]

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