Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields (1997)
- Authors:
- Autor USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: International Journal of Modern Physics B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 11, n. 9, p. 1195-1207, 1997
-
ABNT
TAKAHASHI, E K e LINO, A T e SCÓLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, v. 11, n. 9, p. 1195-1207, 1997Tradução . . Acesso em: 30 set. 2024. -
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., & Scólfaro, L. M. R. (1997). Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B, 11( 9), 1195-1207. -
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2024 set. 30 ] -
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scólfaro LMR. Electron subband levels of n-Type'Gama'-Doped quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal of Modern Physics B. 1997 ; 11( 9): 1195-1207.[citado 2024 set. 30 ] - Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'
- Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras
- Phase separation in Cubic Group-III nitride alloys
- Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study
- Optical properties and effective carrier masses of High-K oxides Hf'O IND.2', Zr'O IND.2' and Sn'O IND.2' as obtained from full relativistic Ab initio calculations
- Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina
- Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals
- Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras
- Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV
- Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas