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Artigo de periodico
Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples (2010)
Carvalho, H B de; Godoy, M P F; Paes, R W D; Mir, M; Ortiz de Zevallos, A; Iikawa, F; Brasil, Maria José Santos Pompeu; Chitta, Valmir Antonio; Ferraz, W B; Boselli, M A; Sabioni, A C S
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARVALHO, H B de et al. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, v. 108, n. 3, p. 33914/1-33914/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3459885. Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Carvalho, H. B. de, Godoy, M. P. F., Paes, R. W. D., Mir, M., Ortiz de Zevallos, A., Iikawa, F., et al. (2010). Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, 108( 3), 33914/1-33914/5. doi:10.1063/1.3459885
NLM
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2024 set. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Vancouver
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2024 set. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Trabalho de evento-resumo
Defect induced room temperature ferromagnetism in co-doped 'ZNO' bulk samples (2010)
Godoy, Marcio Peron Franco de; Carvalho, H. B; Mir, M; Chitta, V A; Iikawa, F; Brasil, Maria José Santos Pompeu; Ferraz, W B; Pais, R W D; Boselli, M. A.; Sabioni, A C S
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GODOY, Marcio Peron Franco de et al. Defect induced room temperature ferromagnetism in co-doped 'ZNO' bulk samples. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0392-1.pdf. Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Godoy, M. P. F. de, Carvalho, H. B., Mir, M., Chitta, V. A., Iikawa, F., Brasil, M. J. S. P., et al. (2010). Defect induced room temperature ferromagnetism in co-doped 'ZNO' bulk samples. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0392-1.pdf
NLM
Godoy MPF de, Carvalho HB, Mir M, Chitta VA, Iikawa F, Brasil MJSP, Ferraz WB, Pais RWD, Boselli MA, Sabioni ACS. Defect induced room temperature ferromagnetism in co-doped 'ZNO' bulk samples [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0392-1.pdf
Vancouver
Godoy MPF de, Carvalho HB, Mir M, Chitta VA, Iikawa F, Brasil MJSP, Ferraz WB, Pais RWD, Boselli MA, Sabioni ACS. Defect induced room temperature ferromagnetism in co-doped 'ZNO' bulk samples [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0392-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Iikawa, F; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 set. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping (1992)
Alves, R R; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ALVES, R R et al. Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Alves, R. R., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1992). Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves RR, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Alves RR, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 set. 01 ]
Artigo de periodico
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy (1991)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 108, p. 615-20, 1991Tradução . . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1991). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 108, 615-20.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.[citado 2024 set. 01 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2024 set. 01 ]
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, v. 228, p. 356-8, 1990Tradução . . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2024 set. 01 ]
Trabalho de evento
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2024 set. 01 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp (1986)
Motisuke, P; Iikawa, F; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A; Pereira Neto, J R
Fonte: Mat Science Forum. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTISUKE, P et al. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 01 set. 2024. , 1986
APA
Motisuke, P., Iikawa, F., Caldas, M. J., Fazzio, A., & Pereira Neto, J. R. (1986). On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2024 set. 01 ]
Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, A; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 set. 2024.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 set. 01 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 set. 01 ]

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