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Trabalho de evento
Integrated sensors and microsystems (2004)
Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Salcedo, Walter Jaimes ; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado
Fonte: NanoSemiMat-3.. Nome do evento: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. Unidade: EP
Assunto: NANOTECNOLOGIA
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ABNT
RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier et al. Integrated sensors and microsystems. 2004, Anais.. Brasília: MCT, 2004. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Ramírez Fernandez, F. J., Salcedo, W. J., Galeazzo, E., & Peres, H. E. M. (2004). Integrated sensors and microsystems. In NanoSemiMat-3.. Brasília: MCT.
NLM
Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Galeazzo E, Peres HEM. Integrated sensors and microsystems. NanoSemiMat-3. 2004 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Galeazzo E, Peres HEM. Integrated sensors and microsystems. NanoSemiMat-3. 2004 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Parte de monografia/livro
Electrochemical process for silicon tips fabrication (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, São Paulo /. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Electrochemical process for silicon tips fabrication. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2003). Electrochemical process for silicon tips fabrication. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Electrochemical process for silicon tips fabrication. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Electrochemical process for silicon tips fabrication. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 01 ]
Parte de monografia/livro
Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003: proceedings. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003, São Paulo /. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003: proceedings. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2003). Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003: proceedings. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003: proceedings. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003: proceedings. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 01 ]
Relatorio tecnico
Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 01 nov. 2024. , 2003
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2003). Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. São Paulo: EPUSP.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. 2003 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. 2003 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Electrochemical process for MEMS fabrication (2002)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: IBERSENSOR 2002. Nome do evento: Congreso Iberoamericano de Sensores y Biosensores. Unidade: EP
Assunto: SENSORES ELETROMECÂNICOS
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Electrochemical process for MEMS fabrication. 2002, Anais.. Lima: Pontifícia Universidad Católica del Perú, 2002. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2002). Electrochemical process for MEMS fabrication. In IBERSENSOR 2002. Lima: Pontifícia Universidad Católica del Perú.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Electrochemical process for MEMS fabrication. IBERSENSOR 2002. 2002 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Electrochemical process for MEMS fabrication. IBERSENSOR 2002. 2002 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF' (1996)
Salcedo, Walter Jaimes ; Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Libro de Resumenes. Nome do evento: Congreso Iberoamericano de Electroquimica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e GALEAZZO, Elisabete e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. 1996, Anais.. Merida: Universidad de los Andes, 1996. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Galeazzo, E., & Ramírez Fernandez, F. J. (1996). Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. In Libro de Resumenes. Merida: Universidad de los Andes.
NLM
Salcedo WJ, Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. Libro de Resumenes. 1996 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. Libro de Resumenes. 1996 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2 (1995)
Kuo, P T S; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
KUO, P T S et al. Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Kuo, P. T. S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1995). Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Kuo PTS, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. Resumos. 1995 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Kuo PTS, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Dispositivos de teste da implantacao ionica de j2. Resumos. 1995 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural characterization of photoluminescent porous silicon (1995)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1995). Structural characterization of photoluminescent porous silicon. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1994). Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria (1994)
Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Salcedo, Walter Jaimes ; Tubor, A
Fonte: Cbecimat: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALEAZZO, Elisabete et al. Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. 1994, Anais.. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt, 1994. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Galeazzo, E., Ramírez Fernandez, F. J., Salcedo, W. J., & Tubor, A. (1994). Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. In Cbecimat: Anais. São Paulo: Ifusp/Epusp/Ipt.
NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Tubor A. Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ, Salcedo WJ, Tubor A. Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria. Cbecimat: Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]

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