Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: GALEAZZO, ELISABETE - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMÍREZ - EP ; SALCEDO, WALTER JAIMES - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrj
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes; RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier; GALEAZZO, Elisabete. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. -
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1994). Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ; -
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ; - Structural characterization of photoluminescent porous silicon
- Contribuicao a caracterizacao da formacao de silicio poroso por tecnicas de gravimetria
- Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'
- Sensibilidade versus linearizacao em sensores de campo magnetico integraveis
- Caracterizacao da estrutura do silicio poroso
- The influence of chemical species on photoluminescence of porous silicon. (em CD-Rom)
- Porous silicon masking by silicon oxide and hydrogen ion implantation
- Sensor magnetico em cascata na tecnologia cmos
- Silicon porous as photo conductive material
- Integrated sensors and microsystems
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
