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  • Artigo de periodico

    A blend strategy to achieve high gain and long-term stability in complementary inverters via vertical organic electrochemical transistors (2026)

    Luginieski, Marcos ; Barbosa, Henrique Frulani de Paula ; Schander, Andreas ; Faria, Gregório Couto ; Lüssem, Björn

    Source: ACS Applied Materials and Interfaces. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos et al. A blend strategy to achieve high gain and long-term stability in complementary inverters via vertical organic electrochemical transistors. ACS Applied Materials and Interfaces, v. 18, n. 15, p. 22193-22200, 2026Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsami.5c23663. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Luginieski, M., Barbosa, H. F. de P., Schander, A., Faria, G. C., & Lüssem, B. (2026). A blend strategy to achieve high gain and long-term stability in complementary inverters via vertical organic electrochemical transistors. ACS Applied Materials and Interfaces, 18( 15), 22193-22200. doi:10.1021/acsami.5c23663

    • NLM

      Luginieski M, Barbosa HF de P, Schander A, Faria GC, Lüssem B. A blend strategy to achieve high gain and long-term stability in complementary inverters via vertical organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Materials and Interfaces. 2026 ; 18( 15): 22193-22200.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsami.5c23663

    • Vancouver

      Luginieski M, Barbosa HF de P, Schander A, Faria GC, Lüssem B. A blend strategy to achieve high gain and long-term stability in complementary inverters via vertical organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Materials and Interfaces. 2026 ; 18( 15): 22193-22200.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsami.5c23663

  • Artigo de periodico

    An unbalanced load resistor for ideal logic levels and maximum gain in organic electrochemical transistor-based unipolar inverters (2026)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Dijk, Gerwin ; Salleo, Alberto; Faria, Gregório Couto

    Source: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos et al. An unbalanced load resistor for ideal logic levels and maximum gain in organic electrochemical transistor-based unipolar inverters. Journal of Materials Chemistry C, v. 14, n. Ja 2026, p. 434-443, 2026Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d5tc01912e. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., Feitosa, B. de A., Dijk, G., Salleo, A., & Faria, G. C. (2026). An unbalanced load resistor for ideal logic levels and maximum gain in organic electrochemical transistor-based unipolar inverters. Journal of Materials Chemistry C, 14( Ja 2026), 434-443. doi:10.1039/d5tc01912e

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Feitosa B de A, Dijk G, Salleo A, Faria GC. An unbalanced load resistor for ideal logic levels and maximum gain in organic electrochemical transistor-based unipolar inverters [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2026 ; 14( Ja 2026): 434-443.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d5tc01912e

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Feitosa B de A, Dijk G, Salleo A, Faria GC. An unbalanced load resistor for ideal logic levels and maximum gain in organic electrochemical transistor-based unipolar inverters [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2026 ; 14( Ja 2026): 434-443.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d5tc01912e

  • Tese (Doutorado)

    Transistores orgânicos por efeito de campo: mapeamento do campo elétrico no dispositivo e uso de monocamadas automontadas para melhorar seu desempenho (2025)

    Sousa, Marcos da Silva ; Miranda, Paulo Barbeitas

    Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, ELETRÔNICA, ÓPTICA NÃO LINEAR

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Marcos da Silva e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Transistores orgânicos por efeito de campo: mapeamento do campo elétrico no dispositivo e uso de monocamadas automontadas para melhorar seu desempenho. 2025. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-15052025-092053/. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Sousa, M. da S., & Miranda, P. B. (2025). Transistores orgânicos por efeito de campo: mapeamento do campo elétrico no dispositivo e uso de monocamadas automontadas para melhorar seu desempenho (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-15052025-092053/

    • NLM

      Sousa M da S, Miranda PB. Transistores orgânicos por efeito de campo: mapeamento do campo elétrico no dispositivo e uso de monocamadas automontadas para melhorar seu desempenho [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-15052025-092053/

    • Vancouver

      Sousa M da S, Miranda PB. Transistores orgânicos por efeito de campo: mapeamento do campo elétrico no dispositivo e uso de monocamadas automontadas para melhorar seu desempenho [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-15052025-092053/

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de regulador linear de baixa queda de tensão utilizando transistores fabricados em nanofolhas de silício (2025)

    Souto, Rayana Carvalho de Barros; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUTO, Rayana Carvalho de Barros. Projeto de regulador linear de baixa queda de tensão utilizando transistores fabricados em nanofolhas de silício. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052025-102853/. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Souto, R. C. de B. (2025). Projeto de regulador linear de baixa queda de tensão utilizando transistores fabricados em nanofolhas de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052025-102853/

    • NLM

      Souto RC de B. Projeto de regulador linear de baixa queda de tensão utilizando transistores fabricados em nanofolhas de silício [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052025-102853/

    • Vancouver

      Souto RC de B. Projeto de regulador linear de baixa queda de tensão utilizando transistores fabricados em nanofolhas de silício [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052025-102853/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas (2025)

    Perina, Welder Fernandes; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: ELÉTRONS, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes. Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas. 2025. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052025-112523/. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Perina, W. F. (2025). Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052025-112523/

    • NLM

      Perina WF. Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052025-112523/

    • Vancouver

      Perina WF. Estudo do comportamento de transistores de efeito de campo de alta mobilidade de elétrons (MISHEMT) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052025-112523/

  • Trabalho de evento-resumo

    Organic field-effect transistors: improving performance by side-chain interactions between semiconducting polymers and self-assembled monolayers (2025)

    Sousa, Marcos da Silva ; Capuzzo, Luiza Batista; Miranda, Paulo Barbeitas

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, ELETRÔNICA, ÓPTICA NÃO LINEAR

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Marcos da Silva e CAPUZZO, Luiza Batista e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Organic field-effect transistors: improving performance by side-chain interactions between semiconducting polymers and self-assembled monolayers. 2025, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/eosbf2025/specific-files/manuscripts/eosbf2025/381_1739542378.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Sousa, M. da S., Capuzzo, L. B., & Miranda, P. B. (2025). Organic field-effect transistors: improving performance by side-chain interactions between semiconducting polymers and self-assembled monolayers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/eosbf2025/specific-files/manuscripts/eosbf2025/381_1739542378.pdf

    • NLM

      Sousa M da S, Capuzzo LB, Miranda PB. Organic field-effect transistors: improving performance by side-chain interactions between semiconducting polymers and self-assembled monolayers [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/eosbf2025/specific-files/manuscripts/eosbf2025/381_1739542378.pdf

    • Vancouver

      Sousa M da S, Capuzzo LB, Miranda PB. Organic field-effect transistors: improving performance by side-chain interactions between semiconducting polymers and self-assembled monolayers [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/eosbf2025/specific-files/manuscripts/eosbf2025/381_1739542378.pdf

  • Artigo de periodico

    Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide (2025)

    Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo

    Source: IEEE Access. Unidade: EESC

    Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, v. 13, p. 138112-138124, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, 13, 138112-138124. doi:10.1109/ACCESS.2025.3595055

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055

  • Artigo de periodico

    Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)

    Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo

    Source: IEEE Open Journal of Nanotechnology. Unidade: EESC

    Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

  • Artigo de periodico

    Regular and inverted hysteresis in organic electrochemical transistors: mechanisms and electrochemical insights (2025)

    Kumar, Ramayya ; Luginieski, Marcos ; Kumar, Ankush; Barbosa, Henrique Frulani de Paula ; Schander, Andreas; Faria, Gregório Couto ; Lüssem, Björn

    Source: Advanced Electronic Materials. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      KUMAR, Ramayya et al. Regular and inverted hysteresis in organic electrochemical transistors: mechanisms and electrochemical insights. Advanced Electronic Materials, v. 11, n. 14, p. e00176-1-e00176-9 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202500176. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Kumar, R., Luginieski, M., Kumar, A., Barbosa, H. F. de P., Schander, A., Faria, G. C., & Lüssem, B. (2025). Regular and inverted hysteresis in organic electrochemical transistors: mechanisms and electrochemical insights. Advanced Electronic Materials, 11( 14), e00176-1-e00176-9 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202500176

    • NLM

      Kumar R, Luginieski M, Kumar A, Barbosa HF de P, Schander A, Faria GC, Lüssem B. Regular and inverted hysteresis in organic electrochemical transistors: mechanisms and electrochemical insights [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2025 ; 11( 14): e00176-1-e00176-9 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202500176

    • Vancouver

      Kumar R, Luginieski M, Kumar A, Barbosa HF de P, Schander A, Faria GC, Lüssem B. Regular and inverted hysteresis in organic electrochemical transistors: mechanisms and electrochemical insights [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2025 ; 11( 14): e00176-1-e00176-9 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202500176

  • Trabalho de evento-resumo

    Non-ideal nernstian behavior in organic electrochemical transistors: fundamental processes and theory (2025)

    Faria, Gregório Couto

    Source: Symposia and program. Conference titles: EMRS Spring Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FARIA, Gregório Couto. Non-ideal nernstian behavior in organic electrochemical transistors: fundamental processes and theory. 2025, Anais.. Strasbourg: European Materials Research Society - EMRS, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9ad03841-c629-4ffc-9411-4f675217827c/PROD037474_3267817.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Faria, G. C. (2025). Non-ideal nernstian behavior in organic electrochemical transistors: fundamental processes and theory. In Symposia and program. Strasbourg: European Materials Research Society - EMRS. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9ad03841-c629-4ffc-9411-4f675217827c/PROD037474_3267817.pdf

    • NLM

      Faria GC. Non-ideal nernstian behavior in organic electrochemical transistors: fundamental processes and theory [Internet]. Symposia and program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9ad03841-c629-4ffc-9411-4f675217827c/PROD037474_3267817.pdf

    • Vancouver

      Faria GC. Non-ideal nernstian behavior in organic electrochemical transistors: fundamental processes and theory [Internet]. Symposia and program. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9ad03841-c629-4ffc-9411-4f675217827c/PROD037474_3267817.pdf

  • Apresentacao sonora/cenica/entrevista

    Projeto "transistores eletrolíticos para monitoramento de resíduos de agrotóxicos" (2025)

    Oliveira Junior, Osvaldo Novais de ; Oliveira, Rafael Furlan de

    Source: Canal YouTube IFSC USP. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, RESÍDUOS DE PESTICIDAS EM PLANTAS

    Versão PublicadaAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA JUNIOR, Osvaldo Novais de e OLIVEIRA, Rafael Furlan de. Projeto "transistores eletrolíticos para monitoramento de resíduos de agrotóxicos". Canal YouTube IFSC USP. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=uCkEANkmpcM. Acesso em: 25 abr. 2026. , 2025

    • APA

      Oliveira Junior, O. N. de, & Oliveira, R. F. de. (2025). Projeto "transistores eletrolíticos para monitoramento de resíduos de agrotóxicos". Canal YouTube IFSC USP. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=uCkEANkmpcM

    • NLM

      Oliveira Junior ON de, Oliveira RF de. Projeto "transistores eletrolíticos para monitoramento de resíduos de agrotóxicos" [Internet]. Canal YouTube IFSC USP. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=uCkEANkmpcM

    • Vancouver

      Oliveira Junior ON de, Oliveira RF de. Projeto "transistores eletrolíticos para monitoramento de resíduos de agrotóxicos" [Internet]. Canal YouTube IFSC USP. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=uCkEANkmpcM

  • Trabalho de evento

    Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes (2025)

    Ribeiro, Arllen dos Reis; Silva, Vanessa C.P. ; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidades: EESC, EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS ELÉTRICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen dos Reis et al. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes. 2025, Anais.. Piscataway, N.J.: IEEE, 2025. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Ribeiro, A. dos R., Silva, V. C. P., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2025). Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes. In proceedings. Piscataway, N.J.: IEEE. doi:10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

    • NLM

      Ribeiro A dos R, Silva VCP, Martino JA, Agopian PGD. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes [Internet]. proceedings. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

    • Vancouver

      Ribeiro A dos R, Silva VCP, Martino JA, Agopian PGD. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes [Internet]. proceedings. 2025 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

  • Artigo de periodico

    High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors (2025)

    Luginieski, Marcos ; Barbosa, Henrique Frulani de Paula ; Kumar, Ankush ; Schander, Andreas ; Faria, Gregório Couto ; Lüssem, Björn

    Source: Advanced Materials Technologies. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos et al. High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors. Advanced Materials Technologies, v. 10, n. 24, p. e01083-1-e01083-9 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/admt.202501083. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Luginieski, M., Barbosa, H. F. de P., Kumar, A., Schander, A., Faria, G. C., & Lüssem, B. (2025). High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors. Advanced Materials Technologies, 10( 24), e01083-1-e01083-9 + supporting information. doi:10.1002/admt.202501083

    • NLM

      Luginieski M, Barbosa HF de P, Kumar A, Schander A, Faria GC, Lüssem B. High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Materials Technologies. 2025 ; 10( 24): e01083-1-e01083-9 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admt.202501083

    • Vancouver

      Luginieski M, Barbosa HF de P, Kumar A, Schander A, Faria GC, Lüssem B. High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Materials Technologies. 2025 ; 10( 24): e01083-1-e01083-9 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admt.202501083

  • Dissertação (Mestrado)

    Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral (2024)

    Ramos, Daniel Augusto; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto. Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10022025-084139/. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Ramos, D. A. (2024). Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10022025-084139/

    • NLM

      Ramos DA. Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10022025-084139/

    • Vancouver

      Ramos DA. Fabricação e caracterização de transistor BESOI MOSFET com dopagem lateral [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10022025-084139/

  • Tese (Doutorado)

    Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • NLM

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • Vancouver

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

  • Tese (Doutorado)

    Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)

    Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • NLM

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • Vancouver

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

  • Trabalho de evento-resumo

    Efeitos de interface em transistores orgânicos (2024)

    Capuzzo, Luiza Batista; Sousa, Marcos da Silva ; Miranda, Paulo Barbeitas

    Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

    Versão PublicadaHow to cite
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    • ABNT

      CAPUZZO, Luiza Batista e SOUSA, Marcos da Silva e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Efeitos de interface em transistores orgânicos. 2024, Anais.. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c35bce40-4c7b-4919-87b5-a44e69a834fc/3233302.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Capuzzo, L. B., Sousa, M. da S., & Miranda, P. B. (2024). Efeitos de interface em transistores orgânicos. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c35bce40-4c7b-4919-87b5-a44e69a834fc/3233302.pdf

    • NLM

      Capuzzo LB, Sousa M da S, Miranda PB. Efeitos de interface em transistores orgânicos [Internet]. Resumos. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c35bce40-4c7b-4919-87b5-a44e69a834fc/3233302.pdf

    • Vancouver

      Capuzzo LB, Sousa M da S, Miranda PB. Efeitos de interface em transistores orgânicos [Internet]. Resumos. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c35bce40-4c7b-4919-87b5-a44e69a834fc/3233302.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia vibracional por geração de soma de frequências (2024)

    Miranda, Paulo Barbeitas ; Sousa, Marcos Silva

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, CAMPO ELETROMAGNÉTICO, ESPECTROSCOPIA, ÓPTICA NÃO LINEAR

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MIRANDA, Paulo Barbeitas e SOUSA, Marcos Silva. Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia vibracional por geração de soma de frequências. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d666b0a-8543-4f6a-9efc-24b02f47cfeb/PROD036734_3232439.pdf. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Miranda, P. B., & Sousa, M. S. (2024). Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia vibracional por geração de soma de frequências. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d666b0a-8543-4f6a-9efc-24b02f47cfeb/PROD036734_3232439.pdf

    • NLM

      Miranda PB, Sousa MS. Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia vibracional por geração de soma de frequências [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d666b0a-8543-4f6a-9efc-24b02f47cfeb/PROD036734_3232439.pdf

    • Vancouver

      Miranda PB, Sousa MS. Mapeamento do campo elétrico em transistores poliméricos por espectroscopia vibracional por geração de soma de frequências [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d666b0a-8543-4f6a-9efc-24b02f47cfeb/PROD036734_3232439.pdf

  • Trabalho de evento

    Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo

    Conference titles: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2026 abr. 25 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187

  • Artigo de periodico

    Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors (2024)

    Colucci, Renan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto

    Source: Advanced Electronic Materials. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      COLUCCI, Renan e FEITOSA, Bianca de Andrade e FARIA, Gregório Couto. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, v. 10, n. 2, p. 2300235-1-2300235-8 + supporting information, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235. Acesso em: 25 abr. 2026.

    • APA

      Colucci, R., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2024). Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, 10( 2), 2300235-1-2300235-8 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202300235

    • NLM

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

    • Vancouver

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2026 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

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