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Tese (Doutorado)
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
NLM
Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
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Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (2017)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, TEMPERATURA
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
NLM
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Vancouver
Macambira CN. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13042017-114758/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
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Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Dissertação (Mestrado)
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (2017)
Caparroz, Luís Felipe Vicentis; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador); Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
CAPARROZ, Luís Felipe Vicentis. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Caparroz, L. F. V. (2017). Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
NLM
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Vancouver
Caparroz LFV. Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-155642/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Vancouver
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Artigo de periodico
Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Claeys, Cor ; Thean, Aaron; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Agopian, Paula Ghedini Der ; Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 7, p. 2930-2935, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Claeys, C., Thean, A., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2016). Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 7), 2930-2935. doi:10.1109/ted.2016.2559580
NLM
Bordallo CCM, Claeys C, Thean A, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Agopian PGD, Sivieri V de B, Martino JA. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 7): 2930-2935.[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580
Vancouver
Bordallo CCM, Claeys C, Thean A, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Agopian PGD, Sivieri V de B, Martino JA. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 7): 2930-2935.[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580
Artigo de periodico
Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs (2015)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Rooyackers, Rita; Vandoren, A
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. Ja 2015, p. 16-22, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Rooyackers, R., & Vandoren, A. (2015). Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( Ja 2015), 16-22. doi:10.1109/ted.2014.2367659
NLM
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Vancouver
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Tese (Doutorado)
Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (2013)
Doria, Renan Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Doria, R. T. (2013). Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
NLM
Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
Vancouver
Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
Artigo de periodico
On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs (2013)
Santos, Sara Dereste dos; Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Jurczak, Malgorzata; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS, AVALIAÇÃO DE DESEMPENHO, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 60, n. 1, p. 444-450, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Jurczak, M., et al. (2013). On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 60( 1), 444-450. doi:10.1109/ted.2012.2227749
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2013 ; 60( 1): 444-450.[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2013 ; 60( 1): 444-450.[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749
Tese (Doutorado)
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (2010)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Doria, R. T. (2010). Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
NLM
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Vancouver
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Artigo de periodico
Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures (2007)
Finka, D.; Kiv, A.; Fuks, D.; Tabacniks, Manfredo ; Rizzutto, Marcia ; Silva, A. De O. D.; Chandra, A.; Golovanov, V.; Ivanovskaya, M.; Khirunenko, L.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, SILÍCIO, COLISÕES DE ÍONS PESADOS RELATIVÍSTICOS, RESISTÊNCIA FÍSICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FÍSICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FINKA, D. et al. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, v. 91, n. 8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2773950. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Finka, D., Kiv, A., Fuks, D., Tabacniks, M., Rizzutto, M., Silva, A. D. O. D., et al. (2007). Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures. Applied Physics Letters, 91( 8). doi:10.1063/1.2773950
NLM
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Vancouver
Finka D, Kiv A, Fuks D, Tabacniks M, Rizzutto M, Silva ADOD, Chandra A, Golovanov V, Ivanovskaya M, Khirunenko L. Irradiation induced pulsations of reverse biased metal oxide/silicon structures [Internet]. Applied Physics Letters. 2007 ; 91( 8):[citado 2024 ago. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2773950
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (2007)
Oliveira, Sára Elizabeth Souza Brazão de; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Sára Elizabeth Souza Brazão de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Oliveira, S. E. S. B. de. (2007). Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
NLM
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Vancouver
Oliveira SESB de. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
Tese (Doutorado)
Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância (2004)
Gimenez, Salvador Pinillos ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, AMPLIFICADORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GIMENEZ, Salvador Pinillos. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Gimenez, S. P. (2004). Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gimenez SP. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Vancouver
Gimenez SP. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Tese (Doutorado)
Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C) (2002)
Viana, Carlos Eduardo; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador) ; Bonnaud, Olivier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VIANA, Carlos Eduardo. Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C). 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Viana, C. E. (2002). Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Viana CE. Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C). 2002 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Vancouver
Viana CE. Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT à baixa temperatura (< 600°C). 2002 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Source: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Conference titles: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 ago. 23 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 ago. 23 ]

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