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Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET (2007)

  • Authors:
  • Autor USP: OLIVEIRA, SÁRA ELIZABETH SOUZA BRAZÃO DE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES; SILÍCIO
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho apresenta o estudo e simulação do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating - SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET) em temperatura ambiente. São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. O trabalho apresenta também as influências do Auto-aquecimento em transistores SOI, e em circuitos analógicos, que são a principal indicação do uso dos transistores GC-SOI MOSFET. Foi realizada uma análise do SH usando uma comparação de dispositivos SOI convencionais com GC SOI nMOSFET. Esta análise compara dispositivos com o mesmo comprimento de máscara do canal e dispositivos com o mesmo comprimento efetivo de canal. Simulações numéricas bidimensionais foram efetuadas nas duas análises considerando o aquecimento da rede cristalina. Os modelos e a constante térmica usados nestas simulações também foram apresentados. É demonstrado que os dispositivos GC com o mesmo comprimento de máscara do canal apresentam uma ocorrência similar de SH independentemente do comprimento da região menos dopada apesar de uma maior corrente de dreno. Por outro lado, para mesmo comprimento efetivo de canal o SH é menos pronunciado em transistores GC uma vez que o comprimento de máscara do canal é aumentado para compensar a diferença de corrente.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.08.2007
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      OLIVEIRA, Sára Elizabeth Souza Brazão de; MARTINO, João Antonio. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. 2007.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/ >.
    • APA

      Oliveira, S. E. S. B. de, & Martino, J. A. (2007). Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
    • NLM

      Oliveira SESB de, Martino JA. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/
    • Vancouver

      Oliveira SESB de, Martino JA. Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07082009-174420/

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