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Artigo de periodico
Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well (2019)
Patricio, M. A. Tito; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
NLM
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Vancouver
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Trabalho de evento-resumo
Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well (2018)
Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. G.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TAVARES, B. G. M. et al. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 jun. 22 ]
Vancouver
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 jun. 22 ]
Artigo de periodico
Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2018)
Teodoro, M. D.; Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. Guarin; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TEODORO, M. D. et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, v. 98, n. 15, p. 155431-1-155431-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, 98( 15), 155431-1-155431-7. doi:10.1103/PhysRevB.98.155431
NLM
Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
Vancouver
Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Program. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems - EP2DS. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
TITO, M. A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. State College: Pennsylvania State University, 2017. Disponível em: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Program. State College: Pennsylvania State University. Recuperado de https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. e TITO, M. A. e LAPIERRE, R. R. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 17, p. 175602-1-175602-7, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., & LaPierre, R. R. (2016). Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 17), 175602-1-175602-7. doi:10.1088/0953-8984/28/17/175602
NLM
Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
Trabalho de evento-resumo
Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? (2016)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? 2016, Anais.. Paris: Chimie ParisTech, 2016. Disponível em: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? In Book of Abstracts. Paris: Chimie ParisTech. Recuperado de http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Trabalho de evento-resumo
Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Artigo de periodico
Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices (2015)
Pusep, Yuri A.; Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Santos, L. Fernandes dos; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 27, n. 24, p. 245601-1-245601-6, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/24/245601. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tavares, B. G. M., Tito, M. A., Santos, L. F. dos, & LaPierre, R. R. (2015). Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics: Condensed Matter, 27( 24), 245601-1-245601-6. doi:10.1088/0953-8984/27/24/245601
NLM
Pusep YA, Tavares BGM, Tito MA, Santos LF dos, LaPierre RR. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2015 ; 27( 24): 245601-1-245601-6.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/24/245601
Vancouver
Pusep YA, Tavares BGM, Tito MA, Santos LF dos, LaPierre RR. Magnetic field driven interminiband charge transfer in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2015 ; 27( 24): 245601-1-245601-6.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/24/245601
Artigo de periodico
Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices (2015)
Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A.; Zanatta, Antonio Ricardo; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Physics D. Unidade: IFSC
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, L. Fernandes dos et al. Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics D, v. No 2015, n. 46, p. 465101-1-465101-5, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/46/465101. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Zanatta, A. R., & LaPierre, R. R. (2015). Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics D, No 2015( 46), 465101-1-465101-5. doi:10.1088/0022-3727/48/46/465101
NLM
Santos LF dos, Pusep YA, Zanatta AR, LaPierre RR. Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics D. 2015 ; No 2015( 46): 465101-1-465101-5.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/46/465101
Vancouver
Santos LF dos, Pusep YA, Zanatta AR, LaPierre RR. Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics D. 2015 ; No 2015( 46): 465101-1-465101-5.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/46/465101
Artigo de periodico
Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)
Pusep, Yuri A.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Rodrigues, A. D.; Haapamaki, C. M.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 16, p. 164311-1-164311-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4803494. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Rodrigues, A. D., Haapamaki, C. M., & LaPierre, R. R. (2013). Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 16), 164311-1-164311-4. doi:10.1063/1.4803494
NLM
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Vancouver
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Artigo de periodico
Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)
Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365
NLM
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Vancouver
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Trabalho de evento-resumo
Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential (2010)
Pusep, Yuri A.; Mohseni, P. K.; LaPierre, R. R.; Bakarov, A. K.; Toporov, A. I.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices - ICSNN. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, EFEITO HALL, ELÉTRONS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. 2010, Anais.. Beijing: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2010. . Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Mohseni, P. K., LaPierre, R. R., Bakarov, A. K., & Toporov, A. I. (2010). Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. In Abstracts. Beijing: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toporov AI. Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 jun. 22 ]
Vancouver
Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toporov AI. Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 jun. 22 ]
Artigo de periodico
A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential (2010)
Pusep, Yuri A; Mohseni, P. K.; LaPierre, R. R.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS (ESTUDO)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential. Applied Physics Letters, v. 96, n. 11, p. 113106-1-113106-3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3364138. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Mohseni, P. K., LaPierre, R. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2010). A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential. Applied Physics Letters, 96( 11), 113106-1-113106-3. doi:10.1063/1.3364138
NLM
Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toropov AI. A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ; 96( 11): 113106-1-113106-3.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3364138
Vancouver
Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toropov AI. A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ; 96( 11): 113106-1-113106-3.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3364138
Artigo de periodico
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)
Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724
NLM
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Vancouver
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Trabalho de evento-resumo
Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2008)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; LaPierre, R. R.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. e GOZZO, G. C. e LAPIERRE, R. R. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & LaPierre, R. R. (2008). Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 jun. 22 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices (2007)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 22 jun. 2024. , 2007
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Trabalho de evento-resumo
Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices (2006)
Rodrigues, Ariano de Giovanni; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; Comedi, D. M.; LaPierre, R. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Ariano de Giovanni et al. Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. 2006, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2006. . Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., Comedi, D. M., & LaPierre, R. R. (2006). Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Rodrigues A de G, Galzerani JC, Pusep YA, Comedi DM, LaPierre RR. Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. Resumos. 2006 ;[citado 2024 jun. 22 ]
Vancouver
Rodrigues A de G, Galzerani JC, Pusep YA, Comedi DM, LaPierre RR. Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. Resumos. 2006 ;[citado 2024 jun. 22 ]
Artigo de periodico
High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 22 jun. 2024.
APA
Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689
NLM
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Vancouver
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 jun. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689

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