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Artigo de periodico
Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Potthast, A; Lischka, K
Source: Programa e Libro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Artigo de periodico
Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers (2002)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Fernandez, J R L; Chitta, V A; Leite, J. R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Fernandez, J. R. L., Chitta, V. A., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 91( 9), 6197-6199. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Relatorio tecnico
Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Schikora, D; Schottker, B; Kohler, U; As, D J; Lischka, K
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf. Acesso em: 04 set. 2024. , 1999
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC' (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 11, p. 6322, 1996Tradução . . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, 80( 11), 6322.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 set. 04 ]

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