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Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Artigo de periodico
Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Noriega, O C; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si (2002)
Marquez, A M O de Zevallos; Leite, J. R.; Tabata, Americo; As, Donat Joseph; Schickora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUEZ, A M O de Zevallos et al. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Marquez, A. M. O. de Z., Leite, J. R., Tabata, A., As, D. J., Schickora, D., & Lischka, K. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marquez AMO de Z, Leite JR, Tabata A, As DJ, Schickora D, Lischka K. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Marquez AMO de Z, Leite JR, Tabata A, As DJ, Schickora D, Lischka K. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
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ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers (2002)
Teles, L. K.; Furthmüller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Tabata, A; Leite, J. R.; Bechstedt, F; Frey, T; As, D J; Lischka, K
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, TERMODINÂMICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1086-1089, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Teles, L. K., Furthmüller, J., Scolfaro, L. M. R., Tabata, A., Leite, J. R., Bechstedt, F., et al. (2002). Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, 13( 2-4), 1086-1089. doi:10.1016/s1386-9477(02)00309-0
NLM
Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0
Vancouver
Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0
Artigo de periodico
Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)
Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Artigo de periodico
Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers (2002)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Fernandez, J R L; Chitta, V A; Leite, J. R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Fernandez, J. R. L., Chitta, V. A., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 91( 9), 6197-6199. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Trabalho de evento-resumo
CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy (2001)
Fernandez, Jose Rafael Leon; Silva, M T O; Pusep, Yuri A.; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Abramof, E; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, Jose Rafael Leon et al. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Silva, M. T. O., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells (2001)
Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Chitta, V A; Sotomayor, N M; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Meneses, E A; Ribeiro, E; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
NORIEGA, Odille Cue et al. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Chitta, V. A., Sotomayor, N. M., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., et al. (2001). Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells (2001)
Leite, J. R.; Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silveira, E; MENESES, Eliermes Arraes; Ribeiro, E; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, LUMINESCÊNCIA
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Leite, J. R., Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Silveira, E., et al. (2001). Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain (2001)
Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Kharchenko, V; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K; Bechstedt, F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EMISSÃO DA LUZ, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., Kharchenko, V., et al. (2001). Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE (2001)
Marquez, A M O de Zevallos; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Tabata, Americo; Meneses, E; As, Donat Joseph; Schickora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUEZ, A M O de Zevallos et al. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Marquez, A. M. O. de Z., Noriega, O. C., Leite, J. R., Tabata, A., Meneses, E., As, D. J., et al. (2001). Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marquez AMO de Z, Noriega OC, Leite JR, Tabata A, Meneses E, As DJ, Schickora D, Lischka K. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Marquez AMO de Z, Noriega OC, Leite JR, Tabata A, Meneses E, As DJ, Schickora D, Lischka K. Photoluminescence of cubic GaN/GaAs (100) grown by RF-MBE. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Espectroscopia ramam em poços quânticos de 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' (2001)
Silveira, Edilson; Ribeiro, Evaldo; Meneses, Eliermes Arraes; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Frey, T; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, Edilson et al. Espectroscopia ramam em poços quânticos de 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Silveira, E., Ribeiro, E., Meneses, E. A., Tabata, A., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2001). Espectroscopia ramam em poços quânticos de 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silveira E, Ribeiro E, Meneses EA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Espectroscopia ramam em poços quânticos de 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Silveira E, Ribeiro E, Meneses EA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Espectroscopia ramam em poços quânticos de 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 04 ]

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