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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Oliveira, Caio Estevão de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e OLIVEIRA, Caio Estevão de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Oliveira, C. E. de. (2023). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do strain em nanofios politípicos (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2023). Efeitos do strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade (2023)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2023). Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Trabalho de evento
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube ICTP-SAIFR. Conference titles: ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT, 2022. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Canal YouTube ICTP-SAIFR (Vol. 10 no 2022). São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em nanofios politípicos (2021)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Efeitos de strain em nanofios politípicos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2021). Efeitos de strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
NLM
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
Trabalho de evento-resumo
Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 (2021)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2021). Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
Vancouver
Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos (2021)
Wanderley, Adilson Barros; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, TEORIA DOS GRUPOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2021). Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
NLM
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of semiconductor AlN with density functional theory (2020)
Bonani, Fabio Danielli; Alves, Horácio; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli e ALVES, Horácio e SIPAHI, Guilherme Matos. Study of semiconductor AlN with density functional theory. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Bonani, F. D., Alves, H., & Sipahi, G. M. (2020). Study of semiconductor AlN with density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em semicondutores III-V (2020)
Siqueira, Anderson; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain em semicondutores III-V. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Siqueira, A., & Sipahi, G. M. (2020). Efeitos de strain em semicondutores III-V. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP (2020)
Oliveira, Caio Estevão de; Bonani, Fabio Danielli; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e BONANI, Fabio Danielli e SIPAHI, Guilherme Matos. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2020. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, Bonani, F. D., & Sipahi, G. M. (2020). Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
NLM
Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
Vancouver
Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
Artigo de periodico
Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide (2020)
Silva, Bruno C . da; Couto Jr., Odilon D. D.; Obata, Hélio T.; Lima, Mauricio M.; Bonani, Fabio Danielli; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos ; Iikawa, Fernando; Cotta, Mônica A.
Source: Scientific Reports. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES, ABSORÇÃO DA LUZ
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Bruno C . da et al. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide. Scientific Reports, v. 10, p. 7904-1-7904-7, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Silva, B. C. . da, Couto Jr., O. D. D., Obata, H. T., Lima, M. M., Bonani, F. D., Oliveira, C. E. de, et al. (2020). Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide. Scientific Reports, 10, 7904-1-7904-7. doi:10.1038/s41598-020-64809-4
NLM
Silva BC . da, Couto Jr. ODD, Obata HT, Lima MM, Bonani FD, Oliveira CE de, Sipahi GM, Iikawa F, Cotta MA. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide [Internet]. Scientific Reports. 2020 ; 10 7904-1-7904-7.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4
Vancouver
Silva BC . da, Couto Jr. ODD, Obata HT, Lima MM, Bonani FD, Oliveira CE de, Sipahi GM, Iikawa F, Cotta MA. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide [Internet]. Scientific Reports. 2020 ; 10 7904-1-7904-7.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4
Trabalho de evento-resumo
Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende (2020)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2020). Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Oliveira CE de, Sipahi GM. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes (2020)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2020). Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Book of abstracts. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
NLM
Bastos CM de O, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
Vancouver
Bastos CM de O, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain em semicondutores III-V politípicos (2019)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson
Source: Book of abstracts. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Strain em semicondutores III-V politípicos. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2019). Strain em semicondutores III-V politípicos. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Sipahi GM, Siqueira A. Strain em semicondutores III-V politípicos. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Sipahi GM, Siqueira A. Strain em semicondutores III-V politípicos. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 out. 08 ]

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