Efeitos de strain em semicondutores III-V

Efeitos de strain em semicondutores III-V (2020)

Authors:
- Siqueira, Anderson
- Sipahi, Guilherme Matos
USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; SIQUEIRA, ANDERSON HENRIQUE - IFSC
Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Language: Português
Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2020
Source:
- Título: Livro de Resumos
Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC

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ABNT

SIQUEIRA, Anderson e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain em semicondutores III-V. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 05 ago. 2025.
APA

Siqueira, A., & Sipahi, G. M. (2020). Efeitos de strain em semicondutores III-V. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM

Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2025 ago. 05 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver

Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2025 ago. 05 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view