Efeitos do strain em nanofios politípicos (2022)
- Authors:
- Autor USP: SIQUEIRA, ANDERSON HENRIQUE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCI
- DOI: 10.11606/D.76.2022.tde-17022023-094443
- Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS; MODELOS MATEMÁTICOS
- Keywords: Strain; Nanofios; Nanowires; Politipismo; Polytypism
- Agências de fomento:
- Language: Português
- Abstract: Nanofios semicondutores de compostos III-V apresentam grande variedade de aplicações em dispositivos tecnológicos. O avanço das técnicas de crescimento dessas nanoestruturas, permite obter nanofios na fase zincblend ou wurtzita puros, como também é possível produzir nanofios onde essas duas fases coexistem. Essa coexistência dessas duas fases é denominada de politipismo, e tem grandes efeitos sobre as estruturas de bandas, devido ao confinamento dos portadores de carga. A descrição realista das estruturas de bandas permite entender a influência do confinamento sobre os portadores de carga, e como isso afeta as propriedades ópticas e eletrônicas do sistema. Neste trabalho, o método k · p será usado para construir o Hamiltoniano 8 × 8 para as estruturas cristalinas zincblend e wurtzita. Partindo da formulação das funções envelope, construiremos o Hamiltoniano matricial para uma heteroestrutura no espaço direto, e expandindo as funções envelope em ondas planas, construiremos o Hamiltoniano para uma heteroestrutura no espaço recíproco. O politipismo acarreta em constantes de redes diferentes para as duas fases cristalinas, que tendem a se ajustar na inteface politípica. O principal objetivo deste trabalho é cosntruir um modelo matemático que descreva como os parâmetros de rede das fases zincblend e wurtzita se ajustam na interface politípica. O strain, que resulta dessa interação dos átomos da fase zincblend e wurtzita na interface politípica, será aplicado em um poço quânticopara investigar quais seus efeitos sobre as estruturas de bandas de um sitema politípico wurtzita/zincblend
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- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2022
- Data da defesa: 12.12.2022
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- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
-
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/. Acesso em: 07 out. 2024. -
APA
Siqueira, A. H. (2022). Efeitos do strain em nanofios politípicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/ -
NLM
Siqueira AH. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/ -
Vancouver
Siqueira AH. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/ - Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V
- Efeitos de strain em semicondutores III-V
- Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos
- Strain em semicondutores III-V politípicos
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- Strain in polytypic nanowires
- Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
- Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
Informações sobre o DOI: 10.11606/D.76.2022.tde-17022023-094443 (Fonte: oaDOI API)
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