Strain em semicondutores III-V politípicos (2019)
- Authors:
- USP affiliated authors: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC ; SIQUEIRA, ANDERSON HENRIQUE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2019
- Source:
- Título do periódico: Book of abstracts
- Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
-
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Strain em semicondutores III-V politípicos. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2019). Strain em semicondutores III-V politípicos. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. -
NLM
Sipahi GM, Siqueira A. Strain em semicondutores III-V politípicos. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Sipahi GM, Siqueira A. Strain em semicondutores III-V politípicos. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Efeitos de strain em semicondutores III-V
- Efeitos do strain em nanofios politípicos
- Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos
- Strain in polytypic nanowires
- Efeitos de strain em nanofios politípicos
- Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
- Cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores III-V
- Efeitos do strain em nanofios politípicos
- Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
- Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
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