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Artigo de periodico
Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells (2023)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Villegas-Lelovsky, Leonardo ; Oliveira, Edson Rafael Cardozo de ; Marques, ‪Gilmar Eugenio; LaPierre, Ray ; Toropov, Alexander I.; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, v. 108, n. 3, p. 035416-1-035416-9, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Villegas-Lelovsky, L., Oliveira, E. R. C. de, Marques, ‪G. E., LaPierre, R., Toropov, A. I., & Pusep, Y. A. (2023). Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, 108( 3), 035416-1-035416-9. doi:10.1103/PhysRevB.108.035416
NLM
Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
Vancouver
Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
Artigo de periodico
Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well (2022)
Patricio, Marco Antonio Tito; Teodoro, M. D.; Jacobsen, G. M.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, v. 143, p. 115347-1-115347-5, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115347. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Teodoro, M. D., Jacobsen, G. M., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2022). Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, 143, 115347-1-115347-5. doi:10.1016/j.physe.2022.115347
NLM
Patricio MAT, Teodoro MD, Jacobsen GM, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2022 ; 143 115347-1-115347-5.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115347
Vancouver
Patricio MAT, Teodoro MD, Jacobsen GM, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2022 ; 143 115347-1-115347-5.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115347
Artigo de periodico
Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells (2021)
Patricio, Marco Antonio Tito; Tavares, Belarmino Gomes Mendes; Jacobsen, J. M.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, v. 131, p. 114700-1-114700-6, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Tavares, B. G. M., Jacobsen, J. M., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2021). Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, 131, 114700-1-114700-6. doi:10.1016/j.physe.2021.114700
NLM
Patricio MAT, Tavares BGM, Jacobsen JM, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2021 ; 131 114700-1-114700-6.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700
Vancouver
Patricio MAT, Tavares BGM, Jacobsen JM, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2021 ; 131 114700-1-114700-6.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700
Trabalho de evento-resumo
Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2019)
Tavares, Belarmino; Pusep, Yuri A. ; LaPierre, R. R.
Source: Book of abstracts. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
TAVARES, Belarmino e PUSEP, Yuri A. e LAPIERRE, R. R. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. . Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tavares, B., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2019). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tavares B, Pusep YA, LaPierre RR. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 jul. 13 ]
Vancouver
Tavares B, Pusep YA, LaPierre RR. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 jul. 13 ]
Artigo de periodico
Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well (2019)
Patricio, M. A. Tito; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
NLM
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Vancouver
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Trabalho de evento-resumo
Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2019)
Tavares, Belarmino Gomes Mendes; Teodoro, M. D.; Castro, E. D. Guarin; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Poster contributions. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
TAVARES, Belarmino Gomes Mendes et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. 2019, Anais.. Bristol: Institute of Physics - IOP, 2019. Disponível em: http://www.ldsd2019.org/committees. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Teodoro, M. D., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. In Poster contributions. Bristol: Institute of Physics - IOP. Recuperado de http://www.ldsd2019.org/committees
NLM
Tavares BGM, Teodoro MD, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Poster contributions. 2019 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://www.ldsd2019.org/committees
Vancouver
Tavares BGM, Teodoro MD, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Poster contributions. 2019 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://www.ldsd2019.org/committees
Trabalho de evento-resumo
Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well (2018)
Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. G.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TAVARES, B. G. M. et al. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 jul. 13 ]
Vancouver
Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 jul. 13 ]
Artigo de periodico
Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2018)
Teodoro, M. D.; Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. Guarin; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEODORO, M. D. et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, v. 98, n. 15, p. 155431-1-155431-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, 98( 15), 155431-1-155431-7. doi:10.1103/PhysRevB.98.155431
NLM
Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
Vancouver
Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Program. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems - EP2DS. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. State College: Pennsylvania State University, 2017. Disponível em: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Program. State College: Pennsylvania State University. Recuperado de https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. e TITO, M. A. e LAPIERRE, R. R. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 17, p. 175602-1-175602-7, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., & LaPierre, R. R. (2016). Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 17), 175602-1-175602-7. doi:10.1088/0953-8984/28/17/175602
NLM
Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
Trabalho de evento-resumo
Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? (2016)
Pusep, Yuri A.; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? 2016, Anais.. Paris: Chimie ParisTech, 2016. Disponível em: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? In Book of Abstracts. Paris: Chimie ParisTech. Recuperado de http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Trabalho de evento-resumo
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, Marco; Pusep, Yuri A.; Gold, Alfred; Marques, Gilmar; Teodoro, Marcio; LaPierre, Ray
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, Marco et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tito, M., Pusep, Y. A., Gold, A., Marques, G., Teodoro, M., & LaPierre, R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE
NLM
Tito M, Pusep YA, Gold A, Marques G, Teodoro M, LaPierre R. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE
Vancouver
Tito M, Pusep YA, Gold A, Marques G, Teodoro M, LaPierre R. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE
Trabalho de evento-resumo
Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 13 jul. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 jul. 13 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices (2007)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 13 jul. 2024. , 2007
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927
NLM
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 jul. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927

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