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  • Fonte: Physica E. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      MONTE, A F G et al. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, v. 23, n. 3-4, p. 466-470, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Rodrigues, B. B. D., Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, 23( 3-4), 466-470. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
    • NLM

      Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
    • Vancouver

      Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
  • Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      RODRIGUES, B. B. D et al. Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001). 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Rodrigues, B. B. D., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001). In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf
    • NLM

      Rodrigues BBD, Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001) [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf
    • Vancouver

      Rodrigues BBD, Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001) [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf
  • Fonte: Physica E. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x
    • NLM

      Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
    • Vancouver

      Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
  • Fonte: Physica E. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7
    • NLM

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
    • Vancouver

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
  • Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
    • NLM

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jul. 12 ]
    • Vancouver

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jul. 12 ]
  • Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Como citar
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    • ABNT

      PINHEIRO, J Reinildes et al. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Pinheiro, J. R., Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Souza, H. F. de, Mesquita, M. V., Freire, P. T. C., et al. (2003). Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jul. 12 ]
    • Vancouver

      Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jul. 12 ]
  • Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SALES, F V de et al. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 705-707. doi:10.1016/s0026-2692(03)00107-1
    • NLM

      Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
    • Vancouver

      Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SALES, F V de et al. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 3, p. 1787-1794, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1586953. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C. de, Silva, M. J. da, et al. (2003). Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, 94( 3), 1787-1794. doi:10.1063/1.1586953
    • NLM

      Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
    • Vancouver

      Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
  • Fonte: Physica E. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MONTE, A F G et al. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 122-123, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Monte, A. F. G., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Morais, P. C., et al. (2003). Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, 17( 1-4), 122-123. doi:10.1016/s1386-9477(02)00741-5
    • NLM

      Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
    • Vancouver

      Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
  • Fonte: Physica B. Unidade: IF

    Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SALES, F V de et al. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, v. 311, n. 3-4, p. 285-291, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Sales, F. V. de, Soler, M. A. G., Ugarte, D., Abramof, E., Quivy, A. A., Silva, S. W. da, et al. (2002). Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, 311( 3-4), 285-291. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
    • NLM

      Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
    • Vancouver

      Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
  • Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      NUNES, O A C et al. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Nunes, O. A. C., Fonseca, A. L. A., Fanyao, Q., Daud, S. P., & Leite, J. R. (2002). 2D-3D transition in a parabolic quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jul. 12 ]
    • Vancouver

      Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jul. 12 ]
  • Fonte: Physica Status Solidi A-Applied Research. Unidade: IF

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SALES, F V de et al. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, v. 187, n. 7, p. 45-48, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 12 jul. 2024.
    • APA

      Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Monte, F. G., Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Silva, M. J. da, et al. (2002). Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, 187( 7), 45-48. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
    • NLM

      Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
    • Vancouver

      Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 jul. 12 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf

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