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  • Artigo de periodico

    Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes (2007)

    Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: VIDRO, VIDRO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      BAIERLE, Rogerio Jose e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, v. 141, n. 1-2, p. 49-53, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, 141( 1-2), 49-53. doi:10.1016/j.ssc.2007.01.036

    • NLM

      Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036

    • Vancouver

      Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036

  • Artigo de periodico

    Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)

    Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330

    • NLM

      Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330

    • Vancouver

      Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330

  • Artigo de periodico

    Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)

    Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto

    Source: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf

    • NLM

      Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf

    • Vancouver

      Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf

  • Artigo de periodico

    Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study (2005)

    Piquini, P; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto

    Source: Nanotechnology. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PIQUINI, P et al. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, v. 16, n. 6, p. 827-831, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Piquini, P., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2005). Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, 16( 6), 827-831. doi:10.1088/0957-4484/16/6/035

    • NLM

      Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035

    • Vancouver

      Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035

  • Artigo de periodico

    Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)

    Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
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    • ABNT

      SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.

    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 nov. 01 ]

    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 nov. 01 ]

  • Artigo de periodico

    Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)

    Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027

    • NLM

      Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027

    • Vancouver

      Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027

  • Artigo de periodico

    Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces (2005)

    Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto

    Source: Applied Surface Science. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, v. 244, p. 124-128, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, 244, 124-128. doi:10.1016/j.apsusc.2004.09.165

    • NLM

      Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165

    • Vancouver

      Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165

  • Artigo de periodico

    Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)

    Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto

    Source: Surface Science. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006

    • NLM

      Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006

    • Vancouver

      Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006

  • Artigo de periodico

    Theoretical study of native defects in BN nanotubes (2003)

    Schmidt, T M; Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Fazzio, Adalberto

    Source: Physical Review. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, CRISTALOGRAFIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T M et al. Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, v. 67, n. 11, p. 113407/1-113407/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Baierle, R. J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, 67( 11), 113407/1-113407/4. doi:10.1103/physrevb.67.113407

    • NLM

      Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407

    • Vancouver

      Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407

  • Artigo de periodico

    Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)

    Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205317/1-205317, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, 67( 20), 205317/1-205317. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips

    • NLM

      Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2003)

    Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto

    Source: Physical Review Letters. Unidade: IF

    Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, v. 91, n. 16, p. 166802/1-166802/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, 91( 16), 166802/1-166802/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips

    • NLM

      Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP (2001)

    Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto; Mota, R.

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS)

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T M et al. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7

    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7

    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7

  • Artigo de periodico

    Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)

    Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005

    • NLM

      Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005

    • Vancouver

      Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005

  • Artigo de periodico

    Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)

    Justo Filho, João Francisco ; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A

    Source: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco et al. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, v. 302, n. 403-407, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8

    • NLM

      Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8

  • Artigo de periodico

    '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP (1999)

    Schmidt, Tome Mauro; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mora, R.

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, Tome Mauro et al. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, v. 60, n. 24, p. 16475-16478, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mora, R. (1999). '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, 60( 24), 16475-16478.

    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2024 nov. 01 ]

    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2024 nov. 01 ]

  • Artigo de periodico

    Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)

    Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto

    Source: Physica B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1

    • NLM

      Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1

  • Artigo de periodico

    Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)

    Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mota, R.

    Source: Physica B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 01 nov. 2024.

    • APA

      Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3

    • NLM

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3

    • Vancouver

      Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
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