Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00515-3
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
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- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
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ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 09 out. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3 -
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3 -
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3 - Estrutura eletronica do yb substitucional do gap
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00515-3 (Fonte: oaDOI API)
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