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Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
NLM
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
NLM
Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
NLM
Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Tese (Doutorado)
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 30 jul. 2024.
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Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
NLM
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
NLM
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Dissertação (Mestrado)
Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
NLM
Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
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Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/
Tese (Doutorado)
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2014). Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
NLM
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
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Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Tese (Doutorado)
Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores (2014)
Cavallari, Marco Roberto ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, LITOGRAFIA (PROCESSOS DE IMPRESSÃO), SENSOR
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Cavallari, M. R. (2014). Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
NLM
Cavallari MR. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
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Cavallari MR. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados (2014)
Teixeira, Fernando Ferrari; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: RADIAÇÃO (CALOR), RADIOGRAFIA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEIXEIRA, Fernando Ferrari. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Teixeira, F. F. (2014). Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/
NLM
Teixeira FF. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/
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Teixeira FF. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/
Tese (Doutorado)
Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (2013)
Doria, Renan Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Doria, R. T. (2013). Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
NLM
Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
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Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
Dissertação (Mestrado)
Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (2013)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2013). Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
NLM
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Vancouver
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Dissertação (Mestrado)
Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis (2013)
Zanchin, Vinicius Ramos; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, PROCESSOS DE FABRICAÇÃO, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANCHIN, Vinicius Ramos. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Zanchin, V. R. (2013). Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
NLM
Zanchin VR. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
Vancouver
Zanchin VR. Análise do desempenho elétrico de transistores orgânicos visando a fabricação sobre substratos flexíveis [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-014610/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (2013)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Nicoletti, T. (2013). Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
NLM
Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
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Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)
Martino, Márcio Dalla Valle; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
NLM
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Vancouver
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla de Corpo (2012)
Andrade, Maria Glória Caño de; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
ANDRADE, Maria Glória Caño de. Estudo de transistores de porta tripla de Corpo. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Andrade, M. G. C. de. (2012). Estudo de transistores de porta tripla de Corpo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/
NLM
Andrade MGC de. Estudo de transistores de porta tripla de Corpo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/
Vancouver
Andrade MGC de. Estudo de transistores de porta tripla de Corpo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/
Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
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Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Dissertação (Mestrado)
Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (2011)
Pacheco, Vinicius Heltai; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO, Vinicius Heltai. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/. Acesso em: 30 jul. 2024.
APA
Pacheco, V. H. (2011). Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
NLM
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
Vancouver
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/

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