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Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados (2014)

  • Authors:
  • Autor USP: TEIXEIRA, FERNANDO FERRARI - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: RADIAÇÃO (CALOR); RADIOGRAFIA; TRANSISTORES
  • Keywords: TENSIONAMENTO MECÂNICO
  • Language: Português
  • Abstract: Os efeitos causados pela radiação de raios X em transistores MOS com canal n e p, de porta tripla, com e sem tensionamento mecânico foram estudados teórica e experimentalmente. Após a irradiação de raios X nos dispositivos, foi constatada uma grande variação em algumas de suas características, como por exemplo um aumento de 40mV/dec na inclinação de limiar nos dispositivos mais largos, devido a criação de cargas positivas nos óxidos, tanto no enterrado quanto de porta. As cargas geradas no óxido enterrado apresentaram grande influência na condução de corrente pela segunda interface (silício/óxido enterrado), uma vez que o óxido enterrado é espesso (145nm), que por sua vez afetou significativamente diversos outros parâmetros. A formação de cargas positivas no óxido enterrado causou variações distintas no valor da tensão de limiar referente à segunda interface, em função do canal do transistor. No caso dos transistores MOS com canal n, foi observado um aumento na condução parasitária proveniente da segunda interface, enquanto que nos dispositivos MOS com canal p essa corrente foi minimizada devido aos efeitos da radiação, gerando uma melhora do desempenho destes dispositivos (é possível observar uma redução da inclinação de sublimiar de 60 a 80mV/dec no caso dos dispositivos mais largos). Entretanto, como o óxido de porta é mais fino que o óxido enterrado, não foram observadas grandes variações causadas pelas cargas formadas no mesmo. Quando comparada com a literatura, a dose total acumulada foi muito alta, então foi realizada uma nova rodada de radiação em que a distância entre a amostra e o feixe e a taxa de exposição foram alterados. Com isso, foi possível observar o mesmo efeito descrito anteriormente, porém com uma dose total acumulada cerca de 50 vezes menor.Em ambos os casos a exposição foi realizada sem a presença de polarização nos dispositivos, usada normalmente para reduzir a recombinação de portadores aumentando assim o efeito da radiação.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 30.05.2014
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      TEIXEIRA, Fernando Ferrari; MARTINO, João Antonio. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados. 2014.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/pt-br.php >.
    • APA

      Teixeira, F. F., & Martino, J. A. (2014). Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/pt-br.php
    • NLM

      Teixeira FF, Martino JA. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados [Internet]. 2014 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/pt-br.php
    • Vancouver

      Teixeira FF, Martino JA. Efeitos da radiação em transistores 3D tensionados [Internet]. 2014 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19032015-165733/pt-br.php


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