Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (2011)
- Authors:
- Autor USP: PACHECO, VINICIUS HELTAI - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: TRANSISTORES; MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho apresenta o estudo da transcondutância nos dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI FinFET de porta tripla com e sem crescimento seletivo epitaxial. Nos dispositivos SOI FinFETs há um aumento da resistência de contato dos terminais devido ao estreitamento da região de canal, tornando considerada em relação a resistência total. A utilização do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG), causa um aumento da área de contato, diminuindo essa resistência parasitária. Em contrapartida, a utilização dos canais tensionados Uniaxiais, por filme de Si3Ni4, pela técnica de CESL, causa uma melhora na transcondutância, mas em conjunto com o SEG afasta essa a camada de nitreto, tornando em determinada altura prejudicial ou invés de benéfico. Este trabalho foi realizado baseado em resultados experimentais e em simulações numéricas, mecânica e elétrica de dispositivos, que possibilitaram o entendimento físico do fenômeno estudado. O resultados obtidos das diferentes tecnologias com e sem o uso de SEG foram analisados e comparados mostrando que em transistores SOI MugFETs de porta tripla, o crescimento seletivo epitaxial nos dispositivos tensionados uniaxial piora a transcondutância máxima para dispositivos abaixo de 200nm, mas em contra partida torna mais prolongado o efeito nos dispositivos acima de 200nm.
- Imprenta:
- Data da defesa: 27.05.2011
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ABNT
PACHECO, Vinicius Heltai. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Pacheco, V. H. (2011). Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/ -
NLM
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/ -
Vancouver
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
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